一种新的基于E-SIMOX衬底的PSOI高压器件.pdfVIP

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2015-09-30 发布于湖北
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一种新的基于E-SIMOX衬底的PSOI高压器件.pdf

第30卷第4期固体电子学研究与进展 V01．30．NO．4 2010年12月 RESEARCH＆PROGRESS()FSSE Dec．，2010 T古一种新的基于E—SIMOX衬底的PSO1同压器件。吴丽娟hz” 胡盛东1 张波1 李肇基1 (1电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都，610054) (2成都信息工程学院通信工程系，成都，610225) 2009—10—09收稿．2009一II-17收改稿摘要：首次提出了一种新的采用E—SIMOX技术的界面电荷岛结构的PS0l高压器件(NIPSOI)。该结构在 SOI器件介质层上界面注入形成一系列等距的高浓度N+区。器件外加高压时．纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽N+区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面，同时在下界面积累感应电子。详细研究NIPSOl工作机理及相关结构参数对BV的影响，在0．375pm介质层、2tam顶层硅上仿真获得188V高耐压，较常规结构提高54．1％。其中附加场El和Es分别达到190V／tam和13．7V／tam。关键词：外延一注氧隔离；电荷岛；击穿电压；界面电荷；介质场增强中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2010)04—0473—05 A onE——SIMOX NovelPSOI DeviceBased Substrate HighVoltage 1301 WU HU ZHANGLI Lijuanl-2 Zhaojil Shengdon91 ElectronicScience (1State ofElectronicThinFilmsand of KeyLaboratory IntegratedDevices，University ‘ and TechnologyofChina．Chengdu，610054·CHN) ofCommunication Information (ZCollege Engineering，ChengduUniversityof structurebased011E—SIMOX Abstract：Anovel device NI(N+chargeislands)highvoltage of is inthis proposedpaper．NI (Epitaxy—theSeparationbyIMplantationO