MOS晶体管击穿特性研究.docVIP

微电子器件课程设计 MOS晶体管击穿特性研究 班级：微电子0901 学号：****** 姓名：*** 指导老师：**** 日期：2012.5.20 一、目的 研究MOSFET漏源极击穿特性，主要包括： 1.验证掺杂浓度对MOSFET漏源极雪崩击穿的影响 2.验证栅氧化层厚度对MOSFET漏源极雪崩击穿的影响 3.介绍源漏穿通穿通 二、工作原理 当VDS增大到漏源击穿电压BVDS的值时，反向偏置的漏PN结会因雪崩倍增效应而发生击穿，或在漏区与源区之间发生穿通。这时ID将迅速上升，如图所示。 通过改变衬底掺杂浓度和栅氧化层厚度，可改变穿电压BVDS的值得到不同的输出特性曲线 三、仿真过程 首先构建NMOS结构 源代码如下： go athena # 网格定义（创建非均匀网格） # Non-Uniform Grid(0.6um x 0.8um) line x loc=0.00 spac=0.10 line x loc=0.20 spac=0.01 line x loc=0.60 spac=0.01 # line y loc=0.00 spac=0.008 line y loc=0.2 spac=0.01 line y loc=0.5 spac=0.05 line y loc=0.8 spac=0.15 #初始衬底参数：浓度、晶向等 （浓度1.0e14/cm2 晶向100方向） # Initial Silicon Structure with 100 Orientation init silicon c.boron=1.0e16 orientation=100 two.d # 栅极氧化及优化（使氧化层厚度约为100A） # Gate Oxidation diffus time=11 temp=925.727 dryo2 press=0.982979 hcl.pc=3 # 提取栅极厚度 # extract name=Gateoxide thickness material=SiO~2 mat.occno=1 x.val=0.3 # 阈值电压调整注入（注入9.5e11/cm2的） # Threshold Voltage Adjust implant implant boron dose=9.5e11 energy=10 crystal # 多晶硅淀积 # Conformal Polysilicon Deposition deposit polysilicon thick=0.20 divisions=10 # 多晶硅刻蚀 # Poly Definition etch polysilicon left p1.x=0.35 # 多晶硅氧化 # Polysilicon Oxidation method fermi compress diffus time=3 temp=900 weto2 press=1.00 # 多晶硅参杂 # Polysilicon Doping implant phosphor dose=3e13 energy=20 crystal # 隔离氧化层淀积 # Spacer Oxide deposition deposit oxide thick=0.12 divisions=10 # 侧墙氧化隔离层的形成 etch oxide dry thick=0.12 # Source/Drain Implant # 源漏注入 implant arsenic dose=5e15 energy=50 crystal # 源漏退火 method fermi diffus time=1 temp=900 nitro press=1.00 # 刻蚀通孔 # Open Contact Window etch oxide left p1.x=0.2 # 铝淀积 # Aluminum Deposition deposit aluminum thick=0.03 divisions=2 # 刻蚀铝电极 # Etch Aluminum etch aluminum right p1.x=0.18 #计算结深 extract name=nxj xj material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.2 junc.occno=1 #获得N++源漏极方块电阻 extract name=n++ sheet res sheet.res material=Silicon mat.occno=1 \ x.val=0.05 region.occno=1 #测量LDD方块电阻 extract name=ldd sheet res sheet.res material=Silicon mat.occno=1 \ x.val