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IGBT串联型高压脉冲发生器
申请号：201210070008.6
申请日：2012-03-16
申请(专利权)人浙江大学
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
发明(设计)人 王剑平 余琳 黄康 江婷婷 王海军 盖玲
主分类号 H03K3/013(2006.01)I
分类号 H03K3/013(2006.01)I
公开(公告)号 102611413A
公开(公告)日 2012-07-25
专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200
代理人 林怀禹
注：本页蓝色字体部分可点击查询相关专利
(19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102611413A*
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 102611413 A
(43)申请公布 日 2012.07.25
(21)申请号 201210070008.6
(22)申请 日 2012.03.16
(71)申请人 浙江大学
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路
38 号
(72)发明人 王剑平 余琳 黄康 江婷婷
王海军 盖玲
(74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公
司 33200
代理人 林怀禹
(51) Int.C l.
H03K 3/013 (2006.01)
H03K 3/02 (2006.01)
权利要求书 2 页 说明书 6 页 附图 6 页
权利要求书2 页 说明书6 页 附图6 页
(54) 发明名称
IGBT 串联型高压脉冲发生器
(57) 摘要
本发明公开了一种IGBT 串联型高压脉冲发
生器。该高压脉冲发生器由高压电源提供电压，经
储能电容储能后通过多级IGBT 串联电路产生高
压脉冲。PLC 产生PWM 控制脉冲，经PWM 放大电路
后输入光纤隔离电路，进而驱动IGBT 串联电路，
IGBT 串联电路工作所需的电源由与其相连的隔
离电源次级电路提供。市电经整流电路、滤波电路
后变成直流电，再由经功率MOSFET 驱动电路所驱
动的高频功率MOSFET 全桥逆变电路变成高频方
波，高频方波经串联磁环电路隔离后输入隔离电
源次级电路。当IGBT 串联电路出现故障时，故障
信号经故障输出电路、光纤反馈电路后输入PLC，
PLC 即中断控制信号，使IGBT 串联电路处于关断
状态，进而保护整个系统。
A
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1
6
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1
N
C
CN 102611413 A 权 利 要 求 书 1/2 页
1. 一种IGBT 串联型高压脉冲发生器，其特征在于：包括高压电源、储能电容、PLC、整流
电路（1）、滤波电路（2）、高频功率MOSFET 全桥逆变电路（3）、功率MOSFET 驱动电路（4）、串
联磁环隔离电路（5）、16 路相互独立的隔离电源次级电路（6）、16 路相互串联的IGBT 串联
电路（7）、光纤隔离电路（8）、PWM 放大电路（9）、16 路相互独立的故障输出电路（10）和光纤
反馈电路（11）；高压电源提供的电压，经储能电容储能后通过16 路相互串联的IGBT 串联电
路（7）产生高压脉冲；PLC 产生PWM 控制脉冲，依次接PWM 放大电路（9）、光纤隔离电路（8
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