热蒸发法制备硫化镉(CdS)多晶薄膜及性能研究.pdfVIP

· 28- 材料导报B：研究篇 热蒸发法制备硫化镉(CdS)多晶薄膜及性能研究+ 邵秋萍1，张 华1，门传玲1，田子傲1，安正华2 (1上海理工大学能源与动力工程学院，上海200093；2复旦大学先进材料实验室，上海200433) 摘要 薄膜取样进行退火处理30rain，并对所有样品的微观结构和光学特性进行了分析。结果表明，不同基底温度下制备 的CdS薄膜均具有(002)择优取向生长的特征，且随着基底温度的升高，(002)特征衍射峰强度增加，半高宽变小，相 应薄膜结晶度增大，有利于晶粒的生长。最终发现，150℃生长且经过退火处理的薄膜具有较为明显的六方相CdS 多晶薄膜结构和较优的光学性能，能满足高效CIGS薄膜电池中缓冲层材料的基本要求。 关键词 CdS薄膜热蒸发微观结构光学特性 中图分类号：TK514；TIM3 文献标识码：A Characterizationof CdSThinFilms Polycrystalline