微晶过渡区内材料性能及电池的研究.pdfVIP

! 第# 卷 第$ 期! ! ! ! ! ! ! ! ! 人! 工! 晶! 体! 学! 报! ! ! ! ! ! ! ! %’ #! $ ! *++, 年* 月! ! ! ! ! ! ! ! ! -./0 12 .3 45 67869: :0546124 ! ! ! ! ! ! ! ! 3; @ ，*++, ! 非晶! 微晶过渡区内材料性能及电池的研究 陈! 飞，张晓丹，赵! 颖，魏长春，孙! 建 （南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津+++, $；南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津+++, $； 光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学，天津大学），天津+++, $ ） 摘要：本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积（%73AB8:%C ）技术，通过调节硅烷浓度，获得了系列硅薄膜材料， 并用拉曼散射光谱和D 射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析，同时还使用原子力显微镜观察比较了薄 膜的表面形貌。结果发现：在非晶E 微晶过渡区内存在着一个光敏性较大的区域，这个区域内的材料晶化率为零， 但是表面存在一些微小的晶粒；与拉曼散射光谱相比，D 射线衍射光谱对微小的晶化更加敏感。以这部分材料作 为太阳电池的本征层，在4F.* 衬底上制备了GAHAF 型太阳电池，电池的初始开路电压（!I ）达到了+ JK$% 。 关键词：甚高频等离子增强化学气相沉积；过渡区；太阳电池 中图分类号：.LJL ! ! 文献标识码：1 ! ! 文章编号：$+++AKJMD（*++, ）+$A+$$KA+L #$% ’ *+ ,-#-’ .+#/*-+0, 1*’2 32’*45’$, #’ .-6*’6*,#+00- / -0-6’ + % ’0+* 7/00, #$% ’ ， #*%+ , -./0-1 ， #* 2 3 14 ，5$6 7-14/8791 ，: ;% -1 （9FNOHO O; P BQOA;’;IO FHIN 6QHF 3H’R C;SHI;N ?FT 6;IQFHU ; P ?FV?H /FHS; NHO@ ，6H?FWHF +++, $，:QHF? ； X;@ 2? ?O @ P BQOA;’;IO FHIN 6QHF 3H’R C;SHI;N ?FT 6;IQFHU ; P 6H?FWHF ， ?FV?H /FHS; NHO@ ，6H?FWHF +++, $，:QHF? ； X;@ 2? ?O @ P .GOA;’;IO FHI 9FP R?OHF 4IH;FI; ?FT 6;IQF’Y@ （ ?FV?H /FHS; NHO@ ，6H?FWHF /FHS; NHO@ ），ZHFHNO @ P 8T I?OHF ，6H?FWHF +++, $，:QHF? ） （ ’8’ ’0 *, *949?@ *++# ） 38,#*+6# ：4;S; ?’ N; H;N P Q@T Y;F?O;T NH’HIF PH’RN [; ; G ;G? ;T @ S; @ QHYQ P ;U ;FI@ G’?NR ;FQ?FI;T IQ;RHI?’ S?G T;GNHOHF （%73AB8:%C ）[HOQ S? H N NH’?F; IFI;FO ?OHFN 6Q; NO IO ?’ IQ? ?IO; HNOHIN ?FT OQ; N P?I; ?GG;? ?FI;N [; ; NO TH;T @ 0?R?F NI?OOHFY NG;IO R ，DA ?@ THPP ?IOHF NG;IO R ?FT ?ORHI P I; RHI NIG; 6Q; ;N ’ON HFTHI?O; OQ?O OQ; ; HN ? NG;IH?’ THNO HIO HF OQ; O ?FNHOHF \F; ，HF [QHIQ OQ; R?O; H?’N Q?S; ? QHYQ GQON;FNHOHSHO@ ?FT ? ’[ I @NO?’’HF; S’ R; P ?IOHF （, I ）[HOQ N;S; ?’ OHF@ I @NO?’N DA ?@ THPP ?IOHF NG;IO R HN R ; N;FNHOHS; OQ?F 0?R?F NI?OOHFY NG;IO R O NR?’’ I @NO?’’H\?OHF /NHFY OQ;N; NH’HIF PH’RN ?N OQ; HFO HFNHI ’?@; ，GAHAF N’? I;’’N [; ; G ;G? ;T F 4F.* N NO ?O;N