在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较.pdfVIP

/ 在 SMPS 应用中选择 IGBT 和 MOSFET 的比较 作者：飞兆半导体公司应用工程师 Ron Randall 开关电源(Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的 选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择 IGBT 还是 MOSFET 的问题， 但针对特定 SMPS 应用中的 IGBT 和 MOSFET 进行性能比较，确定关键参数的范围还是能 起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关 ZVS (零电压转换) 拓 扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗 和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定 MOSFET 或 IGBT 导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。 SMPS的进展 一直以来，离线式 SMPS 产业由功率半导体产业的功率元件发展所推动。作为主要的功率开 关器件 IGBT、功率 MOSFET 和功率二极管正不断改良，相应地也是明显地改善了 SMPS 的效 率，减小了尺寸，重量和成本也随之降低。由于器件对应用性能的这种直接影响，SMPS 设 计人员必须比较不同半导体技术的各种优缺点以优化其设计。例如，MOSFET 一般在较低功 率应用及较高频应用（即功率1000W 及开关频率≥100kHz）中表现较好，而 IGBT 则在较低 频及较高功率设计中表现卓越。为了做出真实的评估，笔者在 SMPS 应用中比较了来自飞兆 半导体的 IGBT 器件FGP20N6S2 （属于SMPS2 系列）和 MOSFET 器件 FCP11N60（属于 SuperFET 产品族）。这些产品具有相近的芯片尺寸和相同的热阻抗 RθJC，代表了功率半导体产业现 有的器件水平。 导通损耗 除了 IGBT 的电压下降时间较长外，IGBT 和功率 MOSFET 的导通特性十分类似。由基本的 IGBT 等效电路（见图 1）可看出，完全调节 PNP BJT 集电极基极区的少数载流子所需的时间导致 了导通电压拖尾（voltage tail）出现。 / 图 1 IGBT等效电路 这种延迟引起了类饱和 (Quasi-saturation) 效应，使集电极/发射极电压不能立即下降到 其 VCE(sat)值。这种效应也导致了在 ZVS 情况下，在负载电流从组合封装的反向并联二极 管转换到 IGBT 的集电极的瞬间，VCE 电压会上升。IGBT 产品规格书中列出的 Eon 能耗是每 一转换周期 Icollector 与 VCE 乘积的时间积分，单位为焦耳，包含了与类饱和相关的其他 损耗。其又分为两个 Eon 能量参数，Eon1 和 Eon2。Eon1 是没有包括与硬开关二极管恢复损 耗相关能耗的功率损耗；Eon2 则包括了与二极管恢复相关的硬开关导通能耗，可通过恢复 与 IGBT 组合封装的二极管相同的二极管来测量，典型的 Eon2 测试电路如图 2 所示。IGBT 通过两个脉冲进行开关转换来测量 Eon。第一个脉冲将增大电感电流以达致所需的测试电 流，然后第二个脉冲会测量测试电流在二极管上恢复的 Eon 损耗。 图 2 典型的导通能耗 Eon 和关断能耗 Eoff 测试电路 / 在硬开关导通的情况下，栅极驱动电压和阻抗以及整流二极管的恢复特性决定了 Eon 开关损 耗。对于像传统 CCM 升压 PFC 电路来说，升压二极管恢复特性在 Eon (导通) 能耗的控制中 极为重要。除了选择具有最小 Trr 和 QRR 的升压二极管之外，确保该二极管拥有软恢复特性 也非常重要。软化度 (Softness)，即 tb/ta 比率，对开关器件产生的电气噪声和电压尖脉 冲 (voltage spike) 有相当的影响。某些高速二极管在时间 tb 内，从 IRM(REC)开始的电 流下降速率(d