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2.1.3 放大偏置BJT偏压与电流的关系 4. 特征频率 f T 4) 特征频率 f T = IC / IB ? vCE = const 1. 电流放大系数 1)共发射极直流电流放大系数 + - b c e VBB VCC vBE iC iB + - vCE 2)共发射极交流电流放大系数? ? = ?IC / ?IB?vCE = const C B E 3) 共基极直流电流放大系数 = ?IC / ?IE?VCB = const 当 BJT 工作 于放大区时： ≈ ? ≈ ? 可以不加区分 = IC / IE 4) 共基极交流电流放大系数 C B E 2) 集电极发射极间的反向饱和电流 ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2. 极间反向电流 1) 集电极基极间反向饱和电流 ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流 ICEO 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值，ICEO也称为集电极发射极间穿透电流 1) 集电极最大允许电流 ICM 2) 集电极最大允许功率损耗 PCM = ICVCE 3. 极限参数 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE ? BVCEO —— 基极开路时集电极和发射极 间的击穿电压 3) 反向击穿电压 ?BVCBO —— 发射极开路时的集电结 反向击穿电压 BV EBO —— 集电极开路时发射结的 反向击穿电压 几个击穿电压有如下关系 BVCBO＞BVCEO＞BVEBO BJT 工作在高频时： . 当： | | = 1 时 . 此时的频率称为 BJT 的特征频率 fT 截止频率 特征频率 建立小信号模型的意义 建立小信号模型的思路 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 三极管是非线性器件，使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，简化放大电路的分析和设计。 2.4 BJT 的小信号建模 共射小信号模型 vCE = 1V vCE =10V 交流 输入 电阻 rbe 不同于 rd !!! 二极管小信号模型 o 直流工作点 Q： IB IC VCE gm : 跨导(转移电导) 单位(西门子 S) gm : 跨导(转移电导) 单位(西门子 S) 更大 很大 ~100k ? ib 是电流控制电流源 ( CCCS ) 电流方向与 ib 的方向关联 vBE vCE iB c e b iC BJT双口网络 使用该模型的前提：低频，小信号 gm vbe 是电压控制电流源 ( VCCS ) 电流方向与 vbe 的方向关联 vBE vCE iB c e b iC BJT双口网络 使用该模型的前提：低频，小信号 2.5 BJT 的共射混合 p 型模型 共射混合 p 型模型是物理模型， 由 BJT 的内部物理过程导出； 模型中有七个参数： iEP iEP * * 电子科技大学 电子科技大学 * * 2.1 BJT 原理 2.2 BJT 静态特性曲线 2.3 BJT 主要参数 2.5 BJT 交流小信号模型 Bipolar Junction Transistor 2.4 BJT 直流模型及工作状态分析 作业：1，6，7，11 12；13，15 2.1.1 BJT 的结构简介 三 极 管 两种类型的三极管 基区 集电区 发射区 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极（Base） 用B或b表示 发射极（Emitter） 用E或e表示 集电极（Collector） 用C或c表示 两种类型的三极管 三极管符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，几微米至几十微米，掺杂浓度最低 管芯结构剖面图 2.1.2 BJT放大偏置及电流分配关系 1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下， 通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏