一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法.pdfVIP

第27卷第11期 电子测量与仪器学报 ％f．27No．11 MEASUREMENTANDINSTRUMENT ·10ll· 2013年11月 OFELECTRONIC JOURNAL 187．2013．01011 DOI：10．3724／SP．J．1 一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法木 梁华国1 陶志勇2 李 扬2’3 3．江苏商贸职业学校信息系南通226000) 摘要：45 bias nm工艺下，负偏置温度不稳定性(negativetemperature 素。为了缓解NBTI效应引起的电路老化，提出了1个基于门替换方法的设计流程框架和门替换算法。首先利用已有的电 路老化分析框架来预测集成电路在其服务生命期内的最大老化，然后以门的权值作为指标来识别关键门，最后采用门替换 算法对电路中的部分门进