第10章 半导体器件晶闸管.pptVIP

3 半控器件—晶闸管 晶闸管的基本特性 1.2 导通和关断的条件 1. 导通条件： 1.3晶闸管的主要参数 1.额定电压 1)??通态平均电流 IT(AV) （Average on-state current） 晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 2)? 维持电流 IH （Holding current ） 使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安，与结温有关。结温越高，则IH越小。 1.4 晶闸管的派生器件 快速晶闸管（Fast Switching Thyristor——FST) 包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 高频晶闸管的不足在于其额定电压和额定电流都不易做高。 1.4 晶闸管的派生器件 2.双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 1.4 晶闸管的派生器件 3. 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 1.4 晶闸管的派生器件 4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 1.