三代半导体材料构成光子晶体能态密度的研究.pdfVIP

第40卷第8期 激光与红外 Vd．40，No．8 2010年8月 L峪ERINFRARED August，2010 文章编号：1001-5078(2010)08-0892-04 ·光学材料器件与薄膜· 三代半导体材料构成光子晶体能态密度的研究 宗明吉 (枣庄学院物理与电子工程系，山东枣庄277160) 摘要：基于光子晶体广泛应用，本文利用平面波展开法研究了三代半导体材料构成三角晶格 光子晶体能态密度分布规律。得到了当Si作为背景材料构成光子晶体在f=0．25时构成最大 光子禁带。AlP作为背景材料构成光子晶体在，=0．24时构成最大光子禁带。GaN作为背景 材料构成光子晶体在／=0．3时构成最大光子禁带。三代半导体构成光子晶体对应最大光子 晶体禁带宽度较第一二代逐渐增大，研究结果为光子晶体器件的构造提供理论依据。 关键词：光子晶体；平面波展开法；能态密度