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半導體雷射技術 盧延昌、王興宗 著 半導體雷射之垂直結構 基本上半導體雷射的結構主要可以分為兩大類：邊射型雷射(edge emitting laser, EEL)與垂直共振腔面射型雷射(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL) ，這樣的分類是基於雷射共振腔相對於主動層平面方向不同的構造來區分，也因而決定了半導體雷射的許多特性如閾值條件、雷射模態、雷射光的發散特性等。 半導體雷射的這些特性和雷射光如何在共振腔中的分佈(即雷射模態)有很大的關係，因此本章將介紹如何計算雷射模態的分佈。儘管邊射型雷射和垂直共振腔面射型雷射的共振腔方向互相垂直，計算雷射模態的概念是相同的。 半導體雷射的基本構造是由不同的半導體材料在基板上以磊晶成長的方式堆疊起來的，不管是邊射型雷射或是垂直共振腔面射型雷射，半導體雷射的特性如發光波長、閾值電流、操作電壓等基本上是由這些不同的材料與堆疊結構所決定。 就邊射型雷射而言，雷射的垂直結構主要可分為上下披覆層(cladding layer)或稱PN 披覆層，以及主動層(active layer)。其中披覆層材料的能隙較大，而主動層的能隙較小才能形成特性優異的雙異質接面的結構以侷限載子，PN 披覆層可提供電洞與電子分別注入主動層複合產生光子，同時折射率較低的披覆層還可提供良好的光學侷限，讓雷射模態可以在空間上和主動層有非常好的重疊。 就垂直共振腔面射型雷射而言，其垂直結構還要再加入上下布拉格反射鏡，包夾PN 披覆層以及在中央的主動層，同樣的披覆層材料的能隙較主動層還大，可形成雙異質接面的結構以侷限載子，PN 披覆層仍提供電洞與電子分別注入主動層復合產生光子。 若將雙異質接面結構的厚度縮減到量子侷限的效果出現時，使得載子在厚度方向上的運動受到限制，造成能階量化的情形，此現象為一維侷限量子井的問題，因此稱此種主動層為量子井(quantum well)結構。 使用量子結構可以獲致優異的光學特性，包括可調整的發光波長、較低的能態密度(density of states)、較低的閾值電流以及較高的微分增益。 因此現今大部分的半導體雷射或發光二極體，其主動層都是採用量子井的結構。若主動層只有一個量子井，其容納載子的空間有限，容易發生載子溢流的現象而提高閾值電流並容易受到外界溫度的影響。 為改善這些缺點，量子井的數目可以增加，形成所謂的多重量子井(multiple quantum well)的結構如圖2-2(c)所示。 對垂直共振腔面射型雷射而言，主動層若採用多重量子井的結構，在雷射光共振的方向經過增益材料的機會增加，可以提高光學侷限的效果。 同樣的，對邊射型雷射而言，量子井的增加也可以提升光學侷限的效果，但是相對於圖2-2(a)的雙異質結構而言，多重量子井的總厚度還是比較薄，使得光學侷限的效能不如雙異質結構。 為改善此議題，可以在披覆層和多重量子井之間分別插入能隙與折射率介於兩層之間的侷限層(confinement layer)，可分別達成載子(侷限層與量子井之間)與光學(披覆層與侷限層之間)的侷限，稱為分開侷限異質結構(separate confinement heterostructure, SCH) 。 若是將侷限層的能隙或折射率作漸變，則可以更提升光學侷限的效果，稱為漸變折射率分開侷限異質結構(graded-index separate confinement heterostructure, GRIN-SCH)。 這種漸變的結構可以藉由變化磊晶成長時的合金比例達成。由於半導體雷射的垂直結構對邊射型雷射的模態與光學侷限能力影響很大，以下先就邊射型雷射的垂直結構在一維方向上來計算其光學模態與侷限因子。 * * *