Er-%2c2-O-%2c3-高k栅介质材料的分子束外延生长、结构及其物理特性.pdf

摘要 Er203高k栅介质材料的 分子束外延生长、结构及其物理特性 物堡堂系邀鐾查物理专业 学生姓名塞憝抱指导老师整量敛数援 摘要 微电子工业的发展，对集成电路密度和性能提出了越来越高的要求，栅介质 层的厚度也随之变得越来越薄。由于栅介质氧化层的直接隧穿而引起的静态功率 损耗随之成指数形式增长，传统的Si02栅介质正日益趋于它的极限。各种各样 的高k材料被用来研究作为Si02栅介质的可能的替代物质，由于高k材料拥有 比较高的介电常数，使这些材料在保持同样高的电容量的同时还可以有相对于 Si02栅介质比较大的厚度，这样就降低了由直接隧穿引起的漏电流从而保持了器 件的性能。 MetalOxide 近年来，在CMOS(Completement 氧化物半导体)器件应用方面，为了寻找一种合适的栅介质材料替代Si02，很 是一种很有应用前景的栅介质，但以往的研究主要集中在多晶厚薄上，单晶薄膜 和它的许多性质还未见报道。在这篇论文里，我们主要研究单晶Er203的生长及 其特性。 1)／／Si (111)。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内易生成硅化铒。基于生长过程 中可能的化学反应，我们对衬底温度和氧气分压给Er203单晶薄膜生长造成的影 响也进行了系统的研究。实验结果还发现，氧化了的Si衬底可以有效抑制硅化 铒的生成。而且，在氧化了的Si衬底上生长的Er203单晶薄膜的表面粗糙度和结 晶度明显好于生长在清洁的si衬底上的Er203薄膜。 利用光电子能谱对在Si衬底上外延生长的Er203薄膜相对于Si的能带偏移 于其比较大而且对称的价带和导带偏移而可能成为一种很有应用前景的高k栅 介质材料。 用同步辐射光电子能谱的方法对Er203薄膜在Si衬底上的初始生长情况作了 摘要 研究，因为初始生长形成的界面在整个栅介质中起着举足轻重的作用(界面层的 存在会降低栅介质总的介电常数)。实验结果显示，即使在非常低的衬底温度下 (室温)，在富氧的情况下，非常薄的Er203薄膜和Si衬底之间就存在一个界面 层。我们用Er对Si氧化的促进作用进行了解释。 下的一种基本的隧穿过程。在金属／Er203／p．Si结构中我们发现了FN的空穴隧穿， 通过FN直线的斜率可以得到空穴的有效质量为0．05m。 关键词： 高k材料，栅介质，分子束外延，三氧化二铒 分类号：0469，0472+．1，0472+．4，0782+．9 ■ ● ● Abstract Abstract The demandfor circuit and has industry’S higherintegrateddensityperformance forcedthe dielectricthicknesstodecrease a gate layer rapidly．As duetodirect the oxidehasbeen atan leakagepower tunnelingthroughgate increasing rate．Theuse ofconventionalfilmsa