La0.8Sr0.2MnO3薄膜与异质p-n结的整流伏安特性及输运性及研究.pdfVIP

摘要 摘要 自从发现钙钛矿结构的锰氧化物具有巨磁阻效应以来，有关它的研究已经成 为了当前强关联电子体系的一个研究热点。由于巨磁电阻效应在工业上具有广泛 的应用背景，如磁随机存储和传感器，信息存储领域中的磁记录元件以及在自旋 极化的全氧化物器件上的应用。然而，这些应用主要是基于薄膜的特性。从基础 研究上来讲，这些锰氧化物表现出丰富的物理内容，如顺磁一铁磁相变伴随绝缘． 金属相变，电荷轨道有序，相分离，Jahll．Teller畸变，以及各种相互作用之间的 耦合，这些复杂的现象激发了物理学研究人员的研究兴趣。更重要的是，从应用 研究上来讲，对巨磁阻薄膜的研究和探究，不仅对当前的自旋电子学的应用有重 要意义，而且为全氧化物或氧化物一金属原型薄膜器件的研制提供了有效途径。 本论文通过对钙钛矿锰氧化物外延薄膜的应力、氧含量和厚度效应的研究， 探索了沉积氧压、衬底应力以及薄膜厚度对外延薄膜结构和输运性的影响，特别 是原位沉积氧压与薄膜的结构、整流伏安特性和输运性的关系，晶格失配应变与 厚度效应，角度畸变引起的应变与整流特性，以及输运性的变化等进行了深入的 分析和讨论。 本论文共分为四章。 第一章锰氧化物薄膜及异质p-n结的背景现状、基本的物理性质以及半导体理论 在本章中给出了详细介绍。首先我们回顾了钙钛矿结构锰氧化物的基本性 质和主要特征，包括钙钛矿晶体结构，锰离子电子结构，交换作用，锰氧 化物相图，锰基异质p-n结整流伏安特性和锰氧化物薄膜的霍尔效应。 第二章简要地介绍了脉冲激光沉积镀膜的方法及其特点，结合薄膜制各的需要， 也对锰氧化物薄膜及块材的制备方法进行了叙述。我们系统地介绍了掺杂 锰氧化物异质结(薄膜)的制备参数，以及结构和整流伏安特性(输运性) 的表征。并就测量所需仪器的使用方法和基本原理进行了简单介绍。 摘要 并详细研究了氧含量和后退火温度及搁置时间对异质结结构及整流伏安 特性的影响。实验结果表明，LSMO／NSTO(100)异质p．n结均有良好的外 延单晶结构和平整的表面，并表现出良好的整流伏安特性。 延薄膜，衬底应力、氧含量及薄膜厚度对Sr掺杂的锰酸镧外延单晶薄膜的 结构和输运性的影响被系统研究了。实验结果表明，薄膜厚度的降低引起 了转变温度的升高以及电阻率的增加。 关键词：锰氧化物薄膜，沉积氧压，异质结，整流特性，输运性 Ⅱ Abs仃act AbStraCt Thestudiesof oxideshaVeattractedmuchrenewed manganese perovskite attentionin con．elatedelectron sinceme colossal strongly system discoVe巧of mid—l e行ectsare inthe 990s．BecauseCMR great magnetorcsistance(CMR)e艉ct valuableinindustrial asthe random demand，such magnetricmemory，magnetic andthe ofalloxide access sensors depend