《引线式发光二极管LED》.pdf

Q/MLS002—2006 引线式发光二极管 1 范围 本标准规定了引线式发光二极管的品种规格、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮存、 运输等。 本标准适用于全部镀银、局部镀银和银锡复合的引线式发光二极管的电镀、封装生产制造。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB5926 轻工产品金属镀层和化学处理层的外观质量测试方法 GB5270 金属基体上的金属覆盖层附着强度试验方法 GB5931 轻工产品金属镀层和化学处理层的厚度测试方法 GB5935 金属镀层的孔隙率测试方法 GB／T6464 金属和其它无机覆盖层静置户外曝晒腐蚀试验一般规则。 GB11378 金属覆盖层厚度轮廓尺寸测量方法 GB3977 颜色的表示方法 GB4728 电气图形用图形符号 GB11499 半导体分立器件文字符号 GB/T15651 半导体器件 分立器件和集成电器 光电子器件 GB／T2828.1 计数抽样检验程序 GBl90 危险货物包装标志 GBl91 包装储运图示标志 GB6388 运输包装收发货标志 SJ／T11111 银和银合金的试验方法、第一部分镀层厚度测定 SJ2355.1～ SJ2355.7 半导体发光器件测试方法 SJ2658 半导体红外发光二极管测试方法 SJ20788 半导体二极管热阻抗测试方法 GB249-89 半导体分立器件型号命名方法 IEC-747 Semiconductou cevices Part5:Optoelectronic devices CIE-127 Measurenent of LEDs 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3.1 发光二极管 除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲，术语 LED 应该仅应 用予发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管(IRED，Infrared Emitting Diode)：发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯 上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。 1 Q/MLS002—2006 3.2 正向电压V Forward voltage F 通过发光二极管的正向电流为确定值时，在两极间产生的电压降。 3.3 反向电流IR Reverse current 加在发光二极管两端的反向电压为确定值时，流过发光二极管的电流。 3.4 反向电压VR Reverse voltage 检测LED 器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。 3.5 发光强度 光强用字母 Iv 表示，当芯片的 PN 结流过规定的正向电流时在单位立体角内所发出的光通量称为发 光强度，简称为光强。其单位为 mcd。 3.6 反向漏电 反向漏电用字母 Ir表示，当施加一定的反向电压时，流过芯片 PN结间的电流称为反向泄漏电流， 其单位为 µA。 4 要求 4．1 引线框架 4.1.1 型号标记 LED □ □ □ □ □ □