拓扑绝缘体Sb2Te3、Bi2Se3薄膜电子结构及磁性与研究.pdfVIP

STUDYoFELECTRoNICSTRUCTURE ANDMAGNETICPRoPERTIESoF ToPoLoGICALINSIⅡ．AToRS Sb2Te3 AND IiILMS Bi2Se3 ADissertationSubmittedto theGraduateSchoolofHenanNormal University inPartialFulfillmentofthe Requirements forthe of Degree in DoctorofPhilos Science ophy By ZhaoXu Supervisor：Prof．DaiXianqi May,2014 - 摘要 拓扑绝缘体由于具有很多奇异的量子特性，近年来已成为物理学的研究热点及前沿 之一。对拓扑绝缘体的深入研究对于实现电子输运的反弱局域化效应、反常量子霍尔效 应、拓扑磁电效应、磁单极子、Majorana费米子与拓扑超导体等奇特性质有很大的帮助。 因此被认为在自旋电子学、低能耗自旋电子器件、容错量子通信、量子计算等方面有着 重要的意义和广泛的、潜在的应用前景。由于拓扑绝缘体㈣这些奇异的物理性质和潜 在的技术应用，拓扑绝缘体一直处于一个非常活跃的研究领域的核心。 有较大体带隙和最简单表面Dirao能谱，在凝聚态物理和材料物理等领域引起了广泛关 表面态被埋在块材中，这使得拓扑绝缘体材料奇异物理现象的实现受到影响，因此，如 控成了该研究领域亟待解决的问题。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法系统 探究拓扑绝缘体薄膜材料的电子结构和磁性，得到了一些有意义的理论结果。期望这些 理论结果能解释一些实验现象和物理本质，为拓扑绝缘体材料电子器件的制备、设计和 调控等相关实验研究提供理论指导。 1．硫原子覆盖对拓扑绝缘体sb2Tc3薄膜拓扑表面态的钝化作用。 影响。研究发现对于对称吸附，s起到了钝化作用，单一狄拉克锥型的表面态稳定存在； 对于单侧吸附，结构的对称性被打破，来自上、下表面的DiraoCone表面态的简并被破 坏，来自上、下表面的DiraoCone沿着高对称r点方向发生移动。对称替代表面最外层 Te原子时，狄拉克锥型的表面态仍稳定存在，拓扑性质保存完好，s的对称替代很好的 保持了拓扑表面态。和s的单侧吸附相比，s的单侧替代重构了结构的对称性，使得S 的单侧替代，对sb2Te3的拓扑表面态的影响较小，拓扑性质保留。我们的理论结果验 证了拓扑绝缘体的拓扑表面态对非磁杂质的免疫能力，但同时结构的对称性也需考虑。 2。磁性原子掺杂对拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜电子结构的调制和诱导磁性的研究。 研究了过渡金属原予(Cr和Mn)在拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜上表面吸附和掺杂的电 子结构和磁性。研究发现磁性原子能诱导自旋极化，产生磁矩(Cr诱导的净磁矩为 态产生了P．d杂化，Mn的3d态与Bi的6p态产生了p-d杂化。磁性原子的掺杂打破了 局域时间反演对称性，使得上表面的能带发生劈裂，来自上表面的DiraoCone消失，而 未经掺杂的下表面的拓扑表面态仍然存在，费米能级上移至体带隙中，狄拉克锥相对费 米能级下移。为实现绝缘有质量Dirao费米子提供了条件，同时磁性粒子的单侧掺杂对 避免有限尺寸的拓扑绝缘体薄膜上下表面的相互作用、保留无带隙的孤立表面态的研究 有一定的指导意义。 3．TI原子的掺杂对拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜电子结构的调制作用。