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共模噪声使用组件,则为ur值较高,饱和度较低之磁性材料,其滤波作用为楞次效应,下图所示: EMI知识简介 VG=jwL1Il+jwMI2+I1L1 (1) VG=jwL2I2+jwMI1+R2I2 (2) VG-jwMI1 I2= jwL2+R2 (3) L1=L2=M=L I1= VGR2 jwL(R2+RN)+R2RN VL= R2/L Jw+ VG R2 L 元 故只要尽可能降低Ri之值, EMI知识简介 则共模噪声可降低于最低. 高频时,电感组件将如下图所示,杂散电容C开始时组件之频率特性者影响: R-损失阻抗 C1-杂散电容 L , 使L Ri W Zn= R2+W2(L-CR2-W2L2C2)2 (1-W2LC)2+W2C2R2 电容: 电容组件如同电感组件一样,对共模噪声和差模噪声,分别使用X-type(Cx)与Y-type(Cy)两种电容.不过此种型态的电容在滤波特性上并无分别,而仅是安全耐压上的差异:Cx为聚酯膜电容,耐压不超过275VAC,耐Cy为陶瓷电容,耐压可到400VAC 电容在高频时等效电路图为: EMI知识简介 R1-电容接脚之线电阻 L1-电容接脚之线感量 C-电容量 Rr-消散电阻(绝缘电阻) 当f升高时,Wl1不可忽略,与C引起串联共