功能聚吡咯膜修饰电极的制备及其应用.pdfVIP

维普资讯 分 析 化 学 i993，21(4)，474~479 评述与进展 FENXI HUAXUE 忙 hlneseJournalofAnalyticalChemistry) j 功能聚吡咯膜修饰电极的制备及其应用 友塞鲎 史 坚 陈洪渊 7L／ (南京大学化学隶，南京，210008) 摘 要 本文对功能聚毗咯膜修饰电楹的翻备及其在电化学催化、电化学释放、分子器件、电 变色效应、生物传感器以及 电化学分析等方面的应用进行了综述，引参考文献五十篇． 关键词 §堕，些兰堡塑皇墼 I 引 言 七十年代末，人们对在电极表面修饰一层聚合物膜的兴趣越来越浓厚 “。这是由于具有功 能基团的聚台物膜修饰 电极可用于电化学催化 、电化学释放、分子器件、电变色效应、生物传感 器以及 电化学分析等领域。聚合物修饰电极不仅 电化学响应信号大 ，易观测；而且具有较大的 化学和 电化学稳定性 以及较强的抗干扰和抗毒害能力。因此 ，在近十几年 内，聚合物修饰 电极 获得 了迅速的发展 ～。 为了获得人们预定的新功能电极 ，进行所期望的反应，人们已开始设计含各种功能基团的 聚合物修饰电极 ，如功能聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等修饰电极。从而在分子水平上实现了新功能 体系的设计 ，开始步入人们响往已久的分子设计及分子工程学研究阶段 “。功能聚吡咯、聚噻 吩、聚苯胺及其衍生物聚合物膜具有十分相似的性质。本文将 以功能聚吡咯膜修饰 电极的制备 及应用为倒 ，来揭示这类修饰 电极的应用潜力和发展前景。 2 功能聚吡咯膜的制备 在设计具有特殊电化学性质的电极修饰材料时，聚吡咯是较好的基础物质之一。。聚吡咯 膜可 以用循环伏安、恒 电位、恒电流方法聚合吡咯单体而制得 。吡咯单体及聚吡咯膜都具有 良 好的化学反应活性，从而可以制得吡咯衍生物聚合物膜；其次 ，利用聚吡咯膜的掺杂效应，还能 ’ 制得具有掺杂物质特性的复合膜，使聚吡咯膜行为就象一根 “有机金属线 ，通过它可以呈现 出特殊的性质 ，扩大了应用范围。 21 功能化吡咯衍生物单体的电聚合 自Diaz。，第一次报道用含有氧化还原中心的聚吡咯膜修饰电极以来 ，在制备有潜在催化 性能的Ⅳ一取代功能聚吡咯修饰电极方面，已获得了相当大的发展。这包括过渡金属的多吡啶 基配合物。和金属卟啉配合物 、二茂铁 “、蒽醌 “”、醌 “”、4，4一二吡啶基盐 “、硝基苯 “”、 吩噻嗪。等氧化还原基团取代的吡咯衍生物单体的电聚合以及各种共聚物和含不同氧化还 原活性中心的多层共聚物 “。 大量研究表 明，用含有各种类型的氧化还原基团的吡咯衍生物单体，可 以方便地用电聚合 方法制得厚膜，它不需要高浓度的单体 。例如，在 0．5mmol／L[-Ru(bpy)(L-)z] 的乙腈溶液 维普资讯 第 21卷 分 析 化 学 中，用电化学氧化聚合方法，容易制得超过 10000个单分子层的Ru(I)络台物的聚合膜 (见图 1)。图1表 明了在连续循环扫描下膜的生长(小峰)以及 Ru(I)／Ru(1)电对的氧化还原峰值 连续增大；同时可以看出在第一周扫描时，Ru(1)／Ru(_)电对呈现出高的阳极峰和低的阴极 峰，这个行为表明了吡咯基团被 Ru(■)催化氧化而得到聚毗咯膜 尽管吡咯单体的Ⅳ一取代面降低了其导电性约 4个数量级，但聚吡咯链保持的导电性仍允 许膜的生长 ’。目前，最新方法是合成 3一位上取代的吡咯衍生物 “”。由于在 3