《TSI 分析》.doc

//***************************************************************************** * * Copyright (C) Guo Wenjun OF Shan Dong University --------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- * * Text Name : TSI 分析 * * Text Date ：January 3 , 2013 * * Version : 1.0 * * Description: 1.0 版本是使用版本，其中可能会出现某些错误，在使用时如果发现有什* * 么错误敬请改正，并告知作者本人。 * * Revision History： * * Date: Year/month/date * * Notes: *****************************************************************************// TSI 概述 TSI（Touch Sense Input）从英文字面意义上看是触摸感应输入的意思。TSI的确是这样的一个模块。TSI从分类上讲属于人机交互（HMI）的部分，飞思卡尔公司K10系列的单片机有两个人机交互的模块，一个是TSI，另一个是gpio。K10系列的单片机有一个TSI模块可通过16个通道（包含有16个外部引脚，这些引脚都是多路复用的）与外部相连。飞思卡尔公司将这一模块集成到单片机内部大大简化了片外电路，如若使用这一模块的功能只需要在PCB板上为相应的引脚设计好铜箔（铜箔要尽量靠近单片机以减少分布电容，最好呈圆形或方形）就行，不需要其他的外围器件作为辅助，只要程序没问题基本上就可以使用了，方便快捷。 TSI模块原理 这里仅介绍飞思卡尔公司的单片机TSI模块的原理。TSI模块实际上是感应外部铜箔电容的变化，下图图1中，人的手臂连同身体可以看做是虚拟地（virtual Ground），当手指接触外部做好的铜箔（图中Electrode是电极的意思，实际上指的就是外部铜箔）时，手指与铜箔两者就能够组合为电容从而使外部电容发生变化。那么单片机是怎样检测到外部电容发生变化的呢？下面着重介绍单片机是如何感应到外部电容发生变化的。其实这方面的道理非常简单，一说大家就可以明白了。 首先，大家要明确一点，在飞思卡尔的TSI模块中有三个电容，一个是内部参考电容（可通过内部寄存器进行容量大小的配置），第二个是外部基础电容（可通过内部寄存器配置容量的大小），第三是有外部铜箔与接触物组成的电容。外部基础电容与铜箔所构成的电容这两个电容共同构成外部电容，当然外部基础电容还是在单片机内部并不是在单片机外部，只是从原理上将他们分为外部与内部。下图图2中，详细的标注了TSI模块的电容，黑 色圆圈中的电容我们可以认为是外部基础电容，蓝色椭圆形所标出的电容我们可以认为是有铜箔所构成的电容，内部参考电容我们可以认为没有标出（当然这幅图可以有另一种理解，就是外部基础电容没标出，黑色圆圈中的电容是内部参考电容）。检测电容量的变化是通过给电容充电时间的相对长短来判断的。当一切配置好之后，能够发生变化的是外部电容的总容量（通过手指的接触），内部参考电容是不变的。同时内部参考电容与外部总电容各自都对应着一个振荡器（振荡器的振荡频率与电容大小，充电电流大小有关）。检测原理是这样的，内部参考电容与外部总电容（包括外部基础电容与铜箔构成的可变电容），共用一个充电电流源（电流的大小可以配置），两者的充电电流是相同的。在外部总电容完成一次充电的过程中其相对应的振荡器发生了若干次震荡，同时内部参考电容的相对应的振荡器也发生了若干次震荡，并且内部参考电容一般要早于外部总电容充满电，在外部电容充满电之前内部参考电容可能发生了若干个周期的充放电，其相对应的振荡器也随之震荡了若干个周期，因此内部参考电容所对应的振荡器的振荡频率要高于外部参考电容所对应振荡器的频率。由于内部参考电容与充电电流是早已配置好的，所以其相对应的振荡器振荡频率也是不变的（这就可以作为一个基准了），而外部总电容是可变的其充放电的周期时间是可变的，这样，在外部总电容充电一个周期中内部电容所对应的振荡器的震荡次数就可反映外部总电容的大小，并且两者的变化是成比例的。通过这种方式我们就可以检测外部电容的大小了。 飞思卡尔TSI模块简