《Wafer Manufacture》.pdf

晶圓的製作晶圓的製作 ICIC 製作過程製作過程 晶體晶體 • amorpphous （（非晶非晶）） • polycrystalline （多晶，多結 晶，複晶） • crystalline （結結晶） •• AmorphousAmorphous siliconsilicon （（非晶矽非晶矽）） • Polysilicon （多晶矽，多結 晶矽矽 ，複複晶矽矽）） 非晶 複晶 結晶 鑽石與石墨鑽石與石墨 高純度矽之製作 （（9999.999999999%999999999% 純度純度）） 硅石 （silica ） SiO2 以碳還原 不純矽 純度99% 冶金級矽 氯化 SiH , SiCl , SiClH 等 液態矽烷 4 4 3 總稱silane 分餾 超純矽烷 以氫還原 超純複晶矽 冶金級矽冶金級矽 氯化成矽烷氯化成矽烷 以氫還原成複晶矽以氫還原成複晶矽 單晶矽晶棒（ingot ）的 製作製作 • CZ 法法 （（Czochralski 法法 ，柴式柴式 長晶法） • FZ 法（Floating Zone 法，浮融 長晶法長晶法）） CZCZ 法法 FZFZ 法法 晶棒的切割晶棒的切割 • 區塊切斷分離區塊切斷分離 • 外圍研磨 • 平面方向記號加工 • 區塊切離 流程流程 晶圓研磨晶圓研磨 晶邊研磨晶邊研磨 • 防止邊緣破碎 • 避免應力集中 • 使光阻劑於表面均勻分布 晶圓缺陷晶圓缺陷 表面處理表面處理 denuded zone, 剝蝕區，溶蝕區 缺陷有捕捉雜質的作用 吸除（getter ）表面雜質 方法方法 • 外質吸除（extrinsic gettering, EG ）： – 於表面生成一層多晶矽 – 於晶圓背面形成氮化矽晶粒邊界 – 晶圓背面以機械方式摩擦 – 以雷射光束照射晶圓背面 – 離子植入晶圓背面 – 以磷擴散入晶圓背面 • 內質吸除（intrinsic gettering, IG ）： 以熱循環造成氧沉澱，使氧離開晶 圓表面圓表面 • 化學吸除：使用氯化氫或三氯乙烯 除去表面污染 晶圓平坦度晶圓平坦度 1 mil = 1/1000 in = 25 μm 使用使用 HFHF ++ HNOHNO ++ CHCH COO