SSCVD制备ZnO薄膜.pdfVIP

摘 要 壬言 刁石 刀 月 了 ( Z nO 是一种 宽带 隙半导体材料 (3.37eV )，激子束缚能大 (6Om eV )，在室温 下容 易获得 强 的激子 发射 ，可 能成 为紫外激光 的重要材料 。 由于 ZnO (002) 晶 面表面 自由能最低 ，因此大多数技术所制备 的 Z nO 薄膜都是沿 c 轴极性生长 ，与 G aN 类似 ，极性 Z no 的发光效率 比较低 ，因而 限制 了ZnO 的应用 。非极性 ZnO 可 以克服 这 一物 理 现 象 ，提 高 Z nO 的发光 效率 。本 文利用 单源化 学气 相 沉 积 (SS cv D) 法 ，并采用一种新型 固相源 (Znx马C zH ;) 在 si 衬底上制备非极性 ZnO 薄膜 ，主要对 Z nO 薄膜 的生长方式 、结构 以及光学性质等方面进行 了研 究 ， 具体 内容如 下 : 1. 运用 X 射线衍射 (X RD )、原子力显微镜 (A FM )、扫描 电子显微镜 (SEM ) 对 Z nO 薄膜样 品的生长方式和