Bubble结构牺牲层腐蚀的一种改进模型.pdfVIP

第 27 卷 　第 1 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 1 2006 年 1 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J an . ,2006 Bubble 结构牺牲层腐蚀的一种改进模型 吴昌聚 　马慧莲 　金仲和 　王跃林 (浙江大学信息与电子工程系 , 杭州 　3 10027) 摘要 : 以往的牺牲层腐蚀模型把扩散系数看作是常数 ,然而 ,实验结果和以往模型的计算结果在腐蚀开始一段较 短的时间内吻合较好 ,但随着腐蚀时间的变长两者的差异越来越明显. 为了解释这一现象并使模型能够较好地预 测腐蚀过程 ,提出了腐蚀模型应该考虑氢氟酸扩散系数是浓度的函数 ,并在此基础上得到了改进模型. 在改进模型 中 ,浓度的下降会引起扩散系数的增大 ,这部分补偿了腐蚀前端浓度的下降. 另外在改进模型中 ,扩散系数还是温 度的函数. 实验表明 ,改进模型与实验结果吻合地较好. 这些结果不仅为对牺牲层腐蚀机理的理解提供新的证据 , 而且也为溶液在 bubble 结构里面的扩散提供新的证据. 文中所观察到的这些现象也适合于其他类型的牺牲层腐 蚀 ,条件是其腐蚀过程是受扩散限制的. 关键词 : M EM S ; 牺牲层腐蚀 ; 腐蚀速率常数 ; 扩散系数 EEACC : 2520 ; 2575F 中图分类号 : TN 304 12 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 0 10 18305 明腐蚀时间继续增加后他的理论和实验结果是否还 1 　前言 会吻合得较好. 本文在研究port 结构和 bubble 结构时运用了 在 N EM S/ M EM S 表面加工工艺中 ,牺牲层腐 幂律模型 ,对 Eaton 模型中的扩散系数进行了改进 , 蚀技术得到广泛应用[ 1 ] . 牺牲层腐蚀技术是指选择 得到了改进模型. 以bubble 型结构为例进行大量实 性地腐蚀去掉结构层下面的一层材料 , 即牺牲层材 验 ,实验结果和 Eaton 模型及改进模型进行比较 ,当 料 ,从而形成悬空结构[2 ] . 由于过腐蚀对多晶硅结构 腐蚀时间较短时 ,改进模型和 Eaton 模型相差很小 , 层有损害作用[3 ] ,所以精确预测腐蚀过程不但能够 都能和实验结果吻合 ;但腐蚀时间较长时 ,两者的偏 改善 M EM S 器件的性能而且能提高加工效率. Ea 离越来越大 ,改进模型和实验结果吻合程度要远远 ton[4 ,5 ] 曾对复杂结构牺牲层腐蚀模型进行过系统研 高于 Eaton 模型. 此外 ,文中提出了一种任意温度下 ( ) 究 ,但在他所提出的模型中扩散系数被认为是常数. 和任意牺牲层材料 如 SiO2 ,P S G 和 Si 腐蚀速率常 Monk [3 ] 指出扩散系数会随着浓度的变化而变化 ,但 数的测量方法.