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《Yuasa》.pdf
Spin-Dependent Tunneling through
a Crystalline MgO(001) Barrier
–Physics and Applications-
S. Yuasa, R. Matsumoto, A. Fukushima,
H. Kubota, K. Yakushiji, T. Nakamura,
K. Ando, and Y. Suzuki
Outline
(1) Introduction −TMR in magnetic tunnel junctions−
(2) MgO-based magnetic tunnel junctions:
from 1st-principle theory to real products
(3) Some questions on spin-dependent tunneling
MR phenomena
MR ratio (RT & low H)
Year
AMR effect
1857 Lord Kelvin
MR = 1 ~ 2 %
1985
GMR effect
MR = 5 ~ 15 % A. Fert, P. Grünberg
1990
TMR effect
1995 MR = 20 ~ 70 % T. Miyazaki, J. Moodera
2000
2005
2010
Magnetic tunnel junction (MTJ) & TMR effect
FM electrode
Tunnel barrier
FM electrode
Parallel (P) state Antiparallel (AP) state
Tunnel Resistance RP : low Tunnel Resistance RAP : high
Tunnel MagnetoResistance (TMR) effect
＜Performance index＞
MR ratio ≡ ( RAP – RP ) / RP (%)
Origin of TMR : spin-dependent tunneling
Tunnel Tunnel
FM 1 FM 2 FM 1 FM 2
barrier barrier
e e
Energy Energy Energy Energy
EF EF EF EF
D1↑ D1↓ D2↑ D2↓ D1↑ D1↓ D2↑ D2↓
Parallel (P) state Antiparallel (AP) stat
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