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第 26 卷 　第 2 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol. 26 　No. 2 2005 年 2 月 　　 CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 　　Feb. ,2005 SiGe/ Ge/ SiGe 异质结构中自旋极化 输运特性的模拟 邹建平 　田立林 　余志平 (清华大学微电子学研究所 , 北京　100084) 摘要 : 利用蒙特卡罗方法对 Si Ge/ Ge/ Si Ge 异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究. 在 Ge 沟道调制掺杂异 质结构形成的二维空穴气中 ,空穴的自旋进动主要受 Rashba 自旋轨道相互作用控制. 在 77～300 K 的温度范围内 , 对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究. 模拟结果显示 ,低温和窄宽度沟道有利于减小散射 对自旋极化输运的影响 ,避免自旋极化率衰减 ,增大自旋散射长度. 栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增 大 ,并产生负跨导效应. 关键词 : 自旋场效应晶体管; Rashba 自旋轨道相互作用; 蒙特卡罗方法 PACC : 7170E ; 7115Q 中图分类号: TN386 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : (2005) 相关的输运过程 , 需要建立相应的输运模型并对其 1 　引言 进行模拟研究. 近年来 ,蒙特卡罗方法已经被用来研究类 Spin 1988 年 , 巨磁阻效应的发现标志着自旋电子学 FET 结构中的自旋极化输运过程[8 ,9 ] . 然而 ,这些工 研究的开端[1 ] . 在自旋电子学中 ,信息的载体不再 作多数围绕 Ⅲ Ⅴ族化合物半导体异质结构形成的 仅仅是载流子的电荷 ,载流子的自旋在信息的产生、 ( ) 二维电子气 2DEG 中的自旋极化输运过程 ,针对基 传输、检测中将扮演更加重要的角色. 微电子学与自 于Ⅳ族元素半导体异质结构形成的二维空穴气 旋相关效应的结合 ,为新型的自旋电子器件的产生 (2DHG) 中的自旋极化输运研究几乎没有. 高空穴 提供了契机. 与传统的微电子器件相比 , 自旋电子器 ( 迁移率的 Ge 沟道调制掺杂异质结构 Si Ge/ Ge/ 件具有高速、低功耗、非挥发性、高集成度等优势. 近 Si Ge) [10 ]为 2DHG 中的自旋极化输运研究提供了理 年来 ,半导体中的自旋极化载流子输运成为自旋电 想的模型结构. 最近 ,Andrievskii 等人[11 ] 在实验中 子学中的研究热点. 1990 年 ,Datta 和 Das 提出了自 发现 : 在 Ⅳ族元素半导体异质结构形成的 2DHG ( ) [2 ] 旋场效应晶体管 SpinFET 的概念 . SpinFET 利 中 ,存在 Rashba 自旋轨道相互作用引起的自旋态分 用铁磁材料作为源和漏 , 自旋极化的载流子在源端 裂 ,使得 Ge ,Si 在 SpinFET 中的应用成为可能. 此 被注入到二