量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响.pdfVIP

35卷第1期 人 工 晶 体 学 报 v01．35N0．1 垄Q笾生2且 iQ型垦奠△坠Q夏曼!盟堡星卫gg壁羔坠坠 ：—』墼垄望塑墅』型!!!鱼一 镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池 量子效率的影响 李 伟1”，孙 云1，刘 伟1，李凤岩1，周 琳1 (1．南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津300071；2．天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津300071) 摘要：采用两步法制备CuGa。In。。Se2薄膜，cu．In．Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而 成，采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化，通过调整镓(Ga)比例及分布控制CIGS薄膜的带隙，采用镓元素 梯度分布，使CIGS薄膜带隙呈现抛物线状分布，电池的量子效率得到明显提高，制备出的CIGS薄膜电池开路电压 与转换效率都得到很大程度的改善，电池最高转换效率已达9．4％。 关键词：镓梯度分布；铜铟镓硒太阳电池；固态源硒化法；量子效率 中图分类号：TM61