《高效开关电源设计 - 高效率开关电源设计思路 陈永真》.pdfVIP

高效率开关电源设计思路 高效率开关电源设计思路 陈永真 陈永真 0416chenyongzhen@163.com 0416chenyongzhen@163.com 一、开关电源损耗分析与 一、开关电源损耗分析与 减小的方法 减小的方法 变换器的损耗主要是开关管的损耗 变换器的损耗主要是开关管的损耗 1. 开关管的导通损耗； 1. 开关管的导通损耗； 2. 开关管的开关损耗。 2. 开关管的开关损耗。 开关管的导通损耗 开关管的导通损耗 其中的电压和电流均为有效值。 其中的电压和电流均为有效值。 矩形波是占空比与有效值的关系 矩形波是占空比与有效值的关系 降低开关管的导通电压可以有效地 降低开关管的导通电压可以有效地 降低导通损耗 降低导通损耗 1. 对于MOSFET而言，降低导通电阻可以 1. 对于MOSFET而言，降低导通电阻可以 有效降低导通损耗。 有效降低导通损耗。 例如将IRF840换成IRF740可以将导通 例如将IRF840换成IRF740可以将导通 电阻从0.8 Ω降低到0.55 Ω，导通损耗可以 电阻从0.8 Ω降低到0.55 Ω，导通损耗可以 降低40% 以上； 降低40% 以上； 如果采用CoolMOS的SPP07N06C3 （R 如果采用CoolMOS的SPP07N06C3 （RDS DS =0.6 Ω）替代IRFBC40 （R （ON ）=0.6 Ω）替代IRFBC40 （RDS （ON ） （ON ） DS （ON ） =1.2 Ω）导通损耗可以降低一半。 =1.2 Ω）导通损耗可以降低一半。 尽可能增加占空比可以降低导通损耗 尽可能增加占空比可以降低导通损耗 在开关管额定电流相同的条件下。占空比 在开关管额定电流相同的条件下。占空比 为0.5的导通损耗是占空比0.4的导通损耗的 为0.5的导通损耗是占空比0.4的导通损耗的 80% 80% MOSFET作为开关管时，导通损耗一般占 MOSFET作为开关管时，导通损耗一般占 开关管总损耗的2/3 ； 开关管总损耗的2/3 ； IGBT作为开关管时，导通损耗一般占开关 IGBT作为开关管时，导通损耗一般占开关 管总损耗的1/3。 管总损耗的1/3。 开关管开关损耗产生的原因 开关管开关损耗产生的原因 开关管开关损耗的减小 开关管开关损耗的减小 1. 修正开关管的电压电流波形相位，使其 1. 修正开关管的电压电流波形相位，使其 尽可能的错开 尽可能的错开 2. 缓冲电容器复位，为下一次起作用做好 2. 缓冲电容器复位，为下一次起作用做好 准备； 准备； 开关过程的负载线 开关过程的负载线 缓冲电路 缓冲电路 DCR存在的问题 DCR存在的问题 1.将开关管的损耗转移到缓冲电路中。实际 1.将开关管的损耗转移到缓冲电路中。实际 上并没有提高效率。 上并没有提高效率。 解决的思路 解决的思路 1.需要将缓冲电容器复位释放的能量回收； 1.需要将缓冲电容器复位释放的能量回收； 2. 采用LC谐振使缓冲电容器电压复位 2. 采用LC谐