集成电路制造技术_第九章金属化与多层互连.课件 - 西安电子科技大学.pptVIP

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  • 2015-10-11 发布于北京
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集成电路制造技术_第九章金属化与多层互连.课件 - 西安电子科技大学.ppt

第九章 金属化与多层互连 主 讲:毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 绪论 金属化:金属及金属性材料在IC中的应用。 分类:(按功能划分) ①MOSFET栅电极材料-MOSFET器件的组成部分; ②互连材料-将各个独立的元件连接成为具有一定功能的电路模 块。 ③接触材料-直接与半导体材料接触的材料, 以及提供与外部相连的接触点。 常用金属材料: Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等 常用的金属性材料:掺杂的poly-Si; 金属硅化物--PtSi、CoSi2、WSi2; 金属合金--AlSi、AuCu、CuPt、 TiB2 、 SiGe 、 ZrB2 、

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