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大高宽比高线密度X射线透射光栅的制作
第17卷第1期 光学精密工程 V01．17No．1
andPrecision
2009年1月 Optics Engineering Jan．2009
文章编号1004—924X(2009)01—0072—06
大高宽大局冤 比、高线密度X射线透射光栅的制作
柳龙华，刘 刚，熊 瑛，黄新龙，陈 洁，李文杰，田金萍，田扬超
(中国科学技术大学国家同步辐射实验室，安徽合肥230029)
mm×1mlTl，周期为300nm．金吸收体厚度为
摘要：利用电子柬光刻、X射线光刻和微电镀技术，成功制作了面积为1
nm·厚
1“m的用于X射线显微成像的透射光栅。首先，利用电子束光刻和微电镀技术在Si3Na薄膜上制作周期为300
度为250am的高线密度光栅掩模；然后．利用X射线光刻和微电镀技术复制厚度为1肛m，占空比接近l：1。高宽比为7
的X射线透射光栅。整个工艺流程充分利用了电子束光刻技术制作高分辨率图形和X射线光刻技术制作大高宽比结
构的优点，实现了大高宽比、纳米尺度、侧壁陡直的X射线透射光栅的制作。
关 键 词：X射线透射光栅；电子束光刻；X射线光刻；X射线显微成像技术
文献标识码：A
中图分类号：0436．1；TN305．7
of and
Fabrication high-_density
high--aspect-·ratio
transmission
X—ray grating
LIU
Long—hua。LIUGang，XIONGYing，HUANGXin-long，
CHENJie，LI
Wen-jie，TIANJin-ping，TIANYang—chao
and
(National Radiation Science
SynchrotronLaboratory，Universityof
230029，China)
TechnologyoJ’China，Hefei
transmissionwithanareaof1mmX1 mm，a of300nm，anda thick—
Abstract：A grating pitch gold
nessof1 umfor and is fabricated electronbeam
X—rayimagingmicroscopysuccessfullybycombining
maskin of300nm
high—densitypitch
lithography。X—raylithography，andelectroplating．Firstly，a
an
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