聚合物前驱体制备氮化硅纳米纤维及其发光.pdfVIP

维普资讯 第26卷 第6期 发 光 学 报 Vo1．26 No．6 2005年 12月 CHINESE JOURNAL OFLUMlNESCENCE Dec．．2005 文章编号：1000-7032(2005)06-0794-05 聚合物前驱体制备氮化硅纳米纤维及其发光 徐世峰 ，王岩松 ，范 翊 ，褚明辉 ， 罗劲松 ，王文全 ，安立楠 ，张立功 (1．中国科学院激发态物理重点实验室，吉林长春 130033； 2．吉林大学物理学院，吉林 长春 130023) 摘要：由聚硼硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解得到氮化硅纳米纤维，确定了样品结构为Ot相，讨论了纳米 纤维的生长模式属于气．液．固生长机制。在室温下用488nm激光对样品激发，观察到样品有很宽的强光致 发光带，并有两个发光中心 ，这种强的可见光致发光主要来 自氮化硅的内禀si和N的悬键。测量了纳米纤维 的室温吸收光谱，得到氮化硅纳米纤维的光学带隙为4．8OeV。 关 键 词 ：聚合物前驱体 ；氮化硅 ；纳米纤维；吸收光谱；光致发光 中图分类号：0472．3；4082．31 PACC：3250F；7860 文献标识码 ：A 原反应也得到了 —Si，N一NWs 。在高压下通过 1 引 言 燃烧 Si／Si，N／NHF／A1的混合物也可 以得到 自从碳纳米管发现以来，纳米线、纳米棒 、纳 SiN ．NWsl6] 。 在硅衬底上用CVD加热和微波等 米管等一维材料的制备和性质研究就成为重要的 离子体加热也制备出纳米氮化硅结构 ’。尽管 研究领域，此类材料的光学、电学、力学和磁学等 有这么多的合成一维 SiN 纳米结构的方法，但 性质因维度和尺寸效应而表现出与体材料完全不 是找到一种简便高效的制备方法仍然是具有挑战 同的性质，这类材料也有重要实际应用价值，在光 性的工作，也是人们感兴趣的课题。 电子和非线性器件方面有广阔的应用前景。氮化 前人对氮化硅光学性质的研究大多集中在块 硅是一种宽带隙(～5．3eV)半导体材料，在高掺 体和非晶态氮化硅上，其发光和吸收强烈地依赖 杂情况下可以用来获得蓝色发光，性质类似于Ⅲ一 于制备条件 、化学成分和氢含量，发射中心主要来 N族化合物GaN和A1N，可以应用在微电子和纳 自硅氮的内禀缺陷 j。然而，据我们了解，对晶 米光电子器件上，实验证明氮化硅纳米线的机械 体氮化硅，特别是纳米结构晶体氮化硅的光学性 弯曲强度要高于体氮化硅 ，而且氮化硅还具有 质的深入研究很少。本文报道了一种以FeC1为 高强度、轻质、抗热冲击和抗氧化等特性。所以， 催化剂用聚硼硅氮烷前驱体作为初始反应物制备 近来对氮化硅低维结构的制备和光电性质的研究 纳米氮化硅的方法，用来生成氮化硅一维结构。 吸引了大家的关注 。 这种方法可以通过在原子尺度上调整聚合物前驱 一 维SiN 主要的制备方法大多是在反应温 体的成分从而控制和改变产物的组分，是一种简 度高于 l300℃下碳热分解反应和氮化反应。 单的获得高纯氮化硅或掺杂氮化硅的方法，同时 W．Han等人用Si／SiO 的?昆合粉末在 N气氛中 还研究了氮化硅纳米纤维的光学性质。 用碳纳米管(CNTs)作为模板得到了 相和 相 2 实 验 混合的SiN 纳米线 (SiN一NWs) 。x．c．wu 等人用SiO