三电平SVPWM算法及研究及仿真.pdfVIP

第2章三电平基本理论 2．1三电平拓扑结构 2．1．1概述 三电平逆变器是多电平逆变器的最基本结构。它不但结构简单，应用广泛， 而且控制策略也比较简单，是分析研究多电平逆变器的基础，其它多电平逆变 器均是以三电平逆变器作为基本单元，按类似的拓扑结构拓展而成。总的说来， 三电平逆变器的基本拓扑结构包括二极管箝位式、飞跃电容式、带分离直流电 源串联式。 三电平逆变器的各种拓扑结构都有一些共同优点，比如它们都适合大容量、 高电压变频场合；由于开关器件在较低的工作频率下可以获得较好的波形，因 此开关损耗低，效率高；电路的电磁干扰(EMI)问题大大减轻等。 但是，带分离直流电源串联式电路拓扑需要独立的直流电源，限制了它的 应用；飞跨电容式电路拓扑电容数目增加带来诸多不便，且它进行有功功率传 输时，控制复杂。因此，本文选用二极管钳位式拓扑结构作为三电平逆变器的 主电路。 2．1．2二极管箝位式拓扑结构原理 二极管钳位式逆变器是由长冈科技大学学者Nabae等人于1980年提出， 是提出最早也是研究最为广泛的三电平逆变器，又称中点钳位式 (Neutral．Point．Clamped)逆变器(NPC Three．Level Inverter)，它以跨接在每相桥 臂上的两个串联的二极管钳位。以n电平为例，该拓扑每相需要开关器件2× (n．1)个，直流分压电容n一1个，钳位二极管数目为2×(n．2)个，每2个串联后 分别跨接在正负半桥臂对应开关器件之间即可。 相对于两电平逆变电路而言，优势明显：开关管上的电压应力只有直流母 线电压值的一半；开关动作一次的dv／dt只有两电平的1／2，EMI问题大大减轻； 电路输出电压谐波含量大大减少，波形质量提高。 ’ q 图2—1三电平二极管箝位式拓扑结构 如图2．1所示，每一相都需要4个主开关器件、4个续流二极管、2个箝位 二极管，当Tl和T2同为导通时，输出端A对O点的电平为Vdc／2；当T2和 T3同为导通时，输出端A和O点相连，因此它的电平为O；当T3和T4同为导 通时，输出端A对O点的电平为．Vdc／2，所以每相桥臂能输出三个电平状态， 由三相这种桥臂组成的变换电路就叫做二极管箝位式三电平逆变器。 一相桥臂电路的稳态工作情况具体叙述如下： 开关管T1和T2同时导通时，T3和T4同时关断，若电流从逆变电路流向 负载，即从P点经由T1和T2到达输出端A，忽略开关器件的正向导通压降， 输出端A的电位等同于P的电位，即Vdc／2；若电流从负载流向逆变电路，这 时电流从A分别经过续流二极管D2、D1流进P点，这时输出端A的电位仍等 同于P的电位。 开关管T2和T3同时导通时，T1和T4同时关断，同上分析类似：若电流 从逆变电路流向负载，即从中性点O点经由箝位二极管D5和开关器件T2到达 输出端A，输出端A的电位等同于O点的电位，即0电位；若电流从负载流向 逆变电路，这时电流从A分别经过T3和箝位二极管D6流进O点，这时输出端 A的电位仍等同于O点的电位。 开关管T3和T4同时导通时，T1和T2同时关断，分析如下：若电流从逆 变电路流向负载，即从负电位n点分别经过续流二极管D4、D3到达输出端A， 输出端A的电位等同于n的电位，即．Vdc／2；若电流从负载流向逆变电路，这 时电流从A分别经过主开关管T3和T4流进n点，忽略开关器件的正向导通压 降，这时输出端A的电位仍等同于n的电位，即．Vdc／2。 需要注意的是，根据上面分析的工作原理，主开关管Tl和T4不能同时导 6 通，且T1和T3，T2和T4的工作状态恰好相反，即工作在互补状态，平均每 个主开关管所承受的正向阻断电压为Vdc／2，这也是三电平逆变器的基本控制 规律之一。另外，每相桥臂中间的两个主开关管导通时间最长，导致发热量也 多一些。因此世纪系统散热设计应以这两个主开关管为准。 2．2三电平控制技术 2．2．1概述 PWM控制技术是高性能电力电子系统的共用及核心技术，它是利用半导体 器件的开通和关断把直流电压变成一定形状的电压脉冲序列，以实现变频、变 压并有效地控制和消除谐波的一种技术。 三电平逆变器PWM技术主要对两方面的目标进行控制。其中一个是输出 电压的控制，即逆变器输出的脉冲序列在伏秒意义上与目标参考波形等效；另