《瞬态抑制二极管TVS器件在信息设备静电放电(ESD)防护中的应用分析》.pdfVIP

瞬态抑制二极管 TVS 器件在信息设备静电放电(ESD)防护中的应用分 析 F* U u B6 Q+ h9 v 随着电子信息技术的迅速发展，当前半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能化，特别 是像时尚消费电子和便携式产品等对主板面积要求比较严格的应用，很容易受到静电放电 (ESD)的影响。电路保护元件的选择根据所要保护的布线情况、可用的电路板空间以及被保 护电路的电特性来决定。因为利用先进工艺技术制造的 IC电路里氧化层比较薄，栅极氧化 层更易受到损害。而且一些采用深亚微米工艺和甚精细线宽布线的复杂半导体功能电路，对 电路瞬变过程的影响更加敏感，这将导致上述问题加重。因此要求保护器件必须具备低箝位 电压以提供有效的 ESD保护；而且响应时间快以满足高速数据线路的要求；封装集成度高以 适用便携设备印制电路板面紧张的情况；同时还要保证多次 ESD 过程后不会劣化以保证高档 设备应有的品质。TVS (Transient Voltage Suppresser瞬态电压抑制器)正是为解决这些问 题而产生的，它已成为保护电子信息设备的关键性技术器件。7 B N6 r% g9 }$ g TVS 的特性与工作原理 2 K; q- Y7 s: e ^; D4 @: B9 O TVS 是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高 的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS 能以极高的速度把两端间的阻 抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，从而把它的两端电压箝制在一个预定的 数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。正因为如此，TVS 可用于 保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压[4]，以及感应雷所产生的过 电压。图 1所示为 TVS的符号及伏安特性曲线。2 i. I l$ |* _# I9 t$ j* w, ?, `$ J `4 ^3 F0 l- A, C % R U+ h- z Q ?8 ] TVS 管和稳压管一样，也是反向应用的。其中 VR称为最大转折电压，是反向击穿之前的临 界电压。VB是击穿电压，其对应的反向电流 IT一般取值为 1 mA。VC 是最大箝位电压，当 TVS 管中流过的峰值电流为 IPP 的大电流时，管子两端电压就不再上升了。因此 TVS 管能够 始终把被保护的器件或设备的端口电压限制在 VB～VC 的有效区内。与稳压管不同的是，IPP 的数值可达数百安培，而箝位响应时间仅为 1×10-12s。TVS的最大允许脉冲功率为 PM=VCIPP，且在给定最大钳位电压下，功耗 PM越大，其浪涌电流的承受能力越大。 {: k7 q3 z) p ?- ^ + G `5 i* D0 V F, `6 ^# Q 图 2 是在双踪示波器上观察到的 TVS 管在承受大电流冲击时的电流及电压波形。图中，曲线 1 是TVS 管中的电流波形，可以看出：其流过 TVS 管的电流由 1mA 突然上升到峰值后，然后 按指数规律下降。曲线 2 是TVS 管两端的电压波形，它表示 TVS 中的电流突然上升时，TVS 两端电压也随之上升。在浪涌电压的作用下，TVS 两极间的电压由额定反向关断电压 VRWM 上升到击穿电压 VB 而被击穿。随着击穿电流的出现，流过 TVS 的电流将达到峰值脉冲电流 IPP，同时其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压 VC 以下。其后，随着脉冲电流按指数 衰减，该过程中，TVS 两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态，这就是 TVS 抑制可能出 现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的过程。事实上，当 TVS 两极受到反向高能量冲击时， 它能以 10-12s 级的速度，将其两极间的阻抗由高变低，以吸收高达数千瓦的浪涌功率，使 两极间的电位箝位于预定值，从而有效地保护电子设备中的元器件免受 ESD 的损害。 0 {2 q4 f8 Q |) v2 w % o; Z+ T0 N- b( }/ ? TVS 的分类及选用方法; m* }: y5 Q: l8 z7 H! | TVS 器件按极性可分为单极性和双极性两种；按用途可分为通用型和专用型；按封装和内部 结构可分为轴向引线二极管、双列直插 TVS 阵列、贴片式和大功率模块等[1]。轴向引线的 产品峰值功