NAND闪存写入(编程)干扰的研究.pdf

NAND 闪存写入（编程）干扰研究 中文摘要 NAND 闪存写入 （编程）干扰研究 中文摘要 闪存 （Flash Memory ）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存 储的数据信息）的存储器。由于其断电后仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信 息，如在电脑的BIOS （基本输入输出程序）、PDA （个人数字助理）、数码相机中保 存资料等。闪存分为NOR 型与NAND型，目前NAND 闪存是一种比硬盘驱动器更好的 存储方案，这在不超过8GB的低容量应用中表现的犹为明显。随着人们持续追求功耗 更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND 闪存正被证明极具吸引力。 NAND 闪存作为一种比较实用的固态硬盘存储介质，有自己的一些物理特性， NAND 闪存的电荷非常不稳定，在写入 （编程）时很容易对邻近的单元造成干扰，干 扰后会让附近单元的电荷脱离实际的逻辑数值，造成位 （bit ）出错。由于阈值电压接 近的关系，MLC相对SLC来说更容易受到干扰，如何改善写入 （编程）干扰是本文研 究的主要方向。 写入 （编程）干扰指的是，某个页(page)在写入 （编程）时，邻近位 （bit ）的电 压也被升高了，造成位 （bit ）出错。为了保证写入数据的完整性,研究如何减少写入 （编程）干扰造成的数据出错显得尤为重要，除了芯片级测试参数的修改与写入 （编 程）的方法可以改善写入 （编程）干扰，在系统级测试中，通过 ECC算法也可以纠 正这些位 （bit ）的错误。随着NAND 闪存工艺的不断提升，同样大小的晶片上被封装 入更多的单元，造成干扰越来越厉害，所以需要更强大的ECC来纠正位 （bit ）。 本文重点研究了NAND 闪存写入 （编程）干扰的原理，由浅入深的介绍了NAND 闪存写入 （编程）干扰的特性与种类以及各自的改善方法，并结合NAND 闪存实际测 试过程中遇到的写入 （编程）干扰问题，对NAND 闪存写入 （编程）干扰提出了合理 的改善意见与建议。 关键词：NAND 闪存；NOR ；NAND ；写入 （编程）干扰；MLC ；SLC；NAND 闪存测试 作 者：周 文 指导教师：乔东海 I Abstract RESERCH OF NAND PROGRAMMING DISTURBANCE RESERCH OF NAND PROGRAMMING DISTURBANCE Abstract Flash memory is an electronic non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed, and get back stored information even after powered off. Flash memory developed from EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory). There are two main types of flash memory, which are named after the NAND and NOR logic gates. NAND flash has reduced erase and write times, and requires less chip area per cell, allowing greater storage density and lower cost per bit than NO