PtSi%2fSi界面的掺杂效应及其氧化物生长中Si表面电子作用的理论的研究.pdf

目录 第三章PtSi／Si(001)界面掺杂对肖特基势垒的调制效应………………………·54 3．1引言……………………………………………………………………………………………………54 3．2计算方法……………………………………………………………………一55 3．3结果和讨论…………………………………………………………………．．57 33．1 PtSi的结构和性质以及在应变后的变化………………………………57 3．3．2 PtSi／Si(001)界面的结构分析……………………………………………64 3．3．3 PtSi／Si(001)界面的肖特基势垒和结构对其的影响……………………68 3．3．4 PtSi／Si(001)界面的电偶极子的分析……………………………………74 3．3．5 PtSi／Si(001)界面的掺杂效应对势垒的调制作用………………………76 3．4结论……………………………………………………………………………………………………84 参考文献……………………………………………………………………………85 第四章si(ooo表面悬挂键电子在氧化物生长过程中所起的作用……………·91 4．1引言……………………………………………………………………………………………………91 4．2计算方法……………………………………………………………………··92 4．3结果和讨论…………………………………………………………………··94 4．3．1单个氧原子在Si(001)表面吸附的最终结构…………………………··94 4．3．2单个氧原子在Si(001)表面的氧化通道………………………………··96 4．3．3 Si(001)表面悬挂键电子所起的阻止氧化的作用……………………·100 4．3．4 Sr原子在Si(001)表面生长氧化物过程中的作用……………………106 4．3．5在Si(001)表面引入电子或空穴的验证结果…………………………110 15 4．4结论…………………………………………………………………………………………………·1 6 参考文献…………………………………………………………………………·11 第五章结语和展望………………………………………………………………120 致谢…………………………………………………………………………………………………………一123 论文发表情况……………………………………………………………………·124 II 万方数据 中文摘要 摘 要 硅有着丰富的资源和完美的性质，科学家预言未来几十年内硅工艺依然在电 子工业中占据着主导地位。因此，目前电子器件发展以硅器件为主有两个重点方 向：一个是利用新材料，如金属一半导体结等，对传统半导体PN结进行替代， 从而实现器件小型化；另一个是在硅基底上合成新材料，如铁电性的氧化物薄膜 等，从而实现器件多功能化。本文利用第一性原理方法对以上两个方向上的问题 分别进行了深入的研究，解释了相关的实验现象。 在第一章介绍了本文两个工作的起因和第二章讲述了所涉及的理论框架之 后，我们在第三章研究了PtSi／Si界面处掺杂引起的肖特基势垒调制效应，提出 了掺杂和肖特基势垒变化的内在关系。在第四章，我们关注硅表面复杂氧化物晶 体薄膜的生长问题，揭示了硅表面悬挂键电子在