齐聚[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及其在有机薄膜晶体管中的应用.pdfVIP

V01．25 第25卷第3期 分子科学学报 No．3 2009年6月 JOURNALOFMOLEC-Zq．ARSCIENCE June20()9 [文章编号】1000-9035{2009)03-0153-05 齐聚[3，2_b]并二噻吩的合成、表征及其 在有机薄膜晶体管中的应用’ 杨宝麟1’2，田洪坤1，宋德1，一，闰东航1，耿延候*，-，王佛松1 (1．中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室，吉林长春130022； 2．中国科学院研究生院，北京100039) [摘要]通过StiUe偶联反应合成了5，5”．二辛基．2，2’：5’矽．三联E3，2-b]并二噻吩，并对该化 合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征．以这一化合物作为半 导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管，并对薄膜生长基底温度做了优化，发现基底 温度为100℃时器件性能最好，迁移率达到0．13cm2／V·s，开关比为7×103，阈值电压为一19 V． 【关键词】 [3，2．b]并二噻吩；有机半导体；有机薄膜晶体管 626 150·20 [中图分类号】0 [学科代码】 [文献标识码】A 0引言 近年来，有机薄膜晶体管(唧s)因其加工成本低，特别适用于制备大面积、柔性器件而引起了人们 的广泛关注【l-3]．并苯类化合物[4]和齐聚噻吩【硒J是两类典型的高迁移率有机半导体材料，它们的∞T 器件的迁移率已经达到或超过非晶硅器件的水平．其中并苯类化合物以并五苯为代表，通过优化薄膜生 长条件和器件结构，其们w器件的迁移率可达5cm2／v·s【40；通过引入端基取代基赋予分子自组装能 力，并结合界面性质调控，齐聚噻吩crr盯器件的迁移率可达到0．1—1cm2／V·sisJ．但是，由于这两类材 料具有较高的最高被占据分子轨道(HOMO)能级，容易与空气中的氧气和水发生反应，因此器件性能在 空气中衰减较快[7-9]．因此，制备稳定的高迁移率有机半导体材料依然是有机光电子研究领域的重要课 题之一． 降低HOMO能级和增大能隙可以提高化合物的稳定性，例如，用较稳定的芳香基团对噻吩齐聚物 进行封端可以获得稳定的高迁移率有机半导体材料【10J．平面刚性分子[3，2-b]并二噻吩比2，2’．二联噻 化齐聚物，其饥下T器件迁移率为0．021 并二噻吩／蒽的杂化齐聚物，其迁移率为0．14 3，I-I’)，表征了其基本的物理和化学性质，制备了相应的有机薄膜晶体管． 收稿日期：2009．-01．27 基金项目：国家自然科学基金资助项目． 联系人简介：耿延候(1968．)，男，研究员，博士生导师．主要从事有机／高分子半导体材料研究． E-retail：yttgmg@ciae．j1．∞ 万方数据万方数据 154 分子科学学报 第25卷 1实验部分 1．1试剂与仪器 EAlll2元 AVANCE300 Lambda 素分析仪；Broker 660 35紫外一可见光吸收光谱仪；Perkin．ElmerLS50B荧光光谱仪；CHIa电化学工作站；SPI3800N原子力 显微镜和BrokerD8薄膜x射线衍射仪． 1．2齐聚物的合成 齐聚物的合成路线见图1． 1 2 87％ 3 84％ c儿勺◇s曲喝～电◇＆导c儿弋玲弋玲弋玲吼 4