《《CoSi2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征》》.pdfVIP

第41卷 第5期 金属学跋 Vbl_41NO．5 ACTAMETALLURGICASINICA 2005 2005年5月487—490页 May CoSi2薄膜二维x射线衍射线形分析与表征木 姜传海 程凡雄 吴建生 (上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室，上海200030) 摘 要 利用二维X射线衍射线形分析方法，分析了CoSi2薄膜材料的二维衍射线形．结果表明，薄膜中不同方位的衍射线形 存在明显差异，主要与材料中晶粒尺寸及显微畸变的空间分布有关，其中沿薄膜法线方向上的晶粒尺寸最大，同时该方向的显微畸 变最小． 关键词 CoSi2薄膜材料，二维X射线衍射，线形分析 中图法分类号TGll5 文献标识码 A ANAIjySISANDCHARACTERIZATIoNoF2一DX—RAY DIFFRACTIoNPRoFILEFoR FILM CoSi2 JIANGChuanhai．CHENG F包nxiong．WUJiansheng for MaterialsandTestsof of ofMaterialsScienceand Laboratory MinistryEducation，School Key HighTemperature 200030 University,Shanghai Engineering，ShanghaiJiaotong Correspondent：JIANG NationafNaturalScienceFoundation theAMFoun— Supportedby ofChina(Noand dation 1 ofShanghai(No．021J received form2004—10—29 Manuscript2004—06—22．inrevised ABSTRACTThe methodof2一D difiractionwasusedto the profileanalysis X-ray analyzeCoSi2 film．Theresultsshowthatthereareevidentdifierencebetweendifiractionfromdifierent profiles directionsofthe relates tothe distributionsofthe sizeandthemicro- film，whichmainly space grain distortioninfilm thenormaldirectionof materialsexhibitthemaximum materials．Along film，the sizeandtheminimummicro-distortion． grain KEYWoRDS CoSi2film，two．dimensional