《《薄膜4》》.pdfVIP

第四章 异质外延薄膜, 第四章 异质外延薄膜, 薄膜中的应力 薄膜中的应力 异质外延生长各种材料 异质外延生长各种材料 外延:有序地排列 In Ga As / InP In Ga As / InP 不同材料之间的外延生长 x 1-x x 1-x Al Ga As / GaAs Al Ga As / GaAs x 1-x x 1-x 外延生长的要求：晶格常数匹配 AlAs: 0.5661 nm 0.1%失配度 GaAs: 0.5654 nm 如果 晶格常数不同—— 晶格失配 如果 晶格常数不同—— 晶格失配 ——失配位错（结构缺陷） ——失配位错（结构缺陷） ——应变、应力—— 晶型变化—— 能带结构变化 ——应变、应力—— 晶型变化—— 能带结构变化 影响器件的性能、可靠性 2 2 主要内容 主要内容 1. 异质外延和应力起源 1. 异质外延和应力起源 2. 薄膜中的应力和应变的基本关系 2. 薄膜中的应力和应变的基本关系 3. 扩散蠕变弛豫 3. 扩散蠕变弛豫 4. 异质外延中应变能及其稳定性 4. 异质外延中应变能及其稳定性 5. 失配位错的弹性能 5. 失配位错的弹性能 6. 临界厚度 6. 临界厚度 7. 应变测量 7. 应变测量 8. 应变超晶格 8. 应变超晶格 3 3 4.1 异质外延和应力起源 a a  a : 衬底晶格常数 f2% 失配度 失配度 s f s 失配度 f af : 薄膜晶格常数 较小 a s  Ga Al As on GaAs x 1-x ax=x aGaAs+ (1-x)aAlAs ，可以获得非常小的失配度  Ga In As on InP x 1-x 异质外延制备 选择依据： 三元化合物 晶格常数相同：应力和缺陷角度 四元化合物 4 4 •常见的III=V 族， II-VI族，IV族半导 体材料的能隙和晶 格常数关系。 •空心符号代表间接