《《薄膜沉积技术》》.docVIP

第一章 清洗芯片及湿蚀 ? 一、清洗芯片（RCA clean） 1.???????? 开N2DI WATER 2.???????? DI water clean 5 min 3.???????? 浸泡步骤 4.???????? 注意事项 ???? 4.1先倒入DI water后再倒入酸或碱H2O2则 ???? 4.2 NH4OH与HCl之气体不能混合，宜用不同之exhaust ? （∵NH3＋HCl(NH4Cl） 步骤 CHEMICAL 浸泡时间 温 LIFE TIME NOTE 1 H2SO4：H2O2 （SPM） 3：1 10~20min 75~85℃ 2~3次 去金属杂质 2 DI water ? 5min ? ? ? 3 HF：H2O （DHF） 1：100 不沾水 ? ? 去native oxide及金属杂质 4 DI water ? 5min ? ? ? 5 NH4OHH2O2：H2O （APM） 1：4：20 10~20min 75~85℃ 1次 去微粒及有机物污染 6 DI water ? 5min ? ? ? 7 HCl：H2O2：H2O （HPM） 1：1：6 10~20min 75~85℃ 1次 去无属 8 DI water ? 5min ? ? ? 9 HF：H2O （DHF） 1：100 不沾水 ? ? 去native oxide 10 DI water ? 5min ? ? ? 11 N2 DRY ? ? ? ? ? ? 二、照相完Etch SiO2后之cleaning 1.???? B.O.E. etch SiO2 1000~1200 A/min（可由较区etched） 2.???? DI water clean 5 min 3.???? 余同上RCA clean之浸泡步骤 4.???? SiO2之Etch rate比较 ???? 4.1 Wet oxide faster than dry oxide ???? 4.2 B doped ( etch rate ???? 4.3 P doped ( etch rate ↑ ???? 4.4 I2 damage ( etch rate ↑ ???? 4.5 CVD SiO2 ( etch rate ↑ ? 三、Phosphorous Predep.后之cleaning 1.wafer取出后，煮水5 min（事先准备腾时 2.HF：H2O＝1：15 etch 5 min除去磷玻璃（PSG） 3.DI water clean 5 min ? 四、Al之cleaning（蒸镀 1.HCl：H2O＝1：1 for 30 sec 2.DI water clean 5 min ? 五、W之cleaning（蒸镀boat） 1.HF：HNO3＝1：1 for 10 sec 2.DI water clean 5 min ? 六、Al之etching ??????? 1.H3PO4：HNO3：CH3COOH：H2O＝50：2：10：9 ,heat to 60℃（etching rate 1000~3000 A/min） 2.DI water clean 5 min ? 七、SiO2之etching 1.B.O.E. etching rate：1000~1200 A/min或etching至不沾水 2.DI water clean 5 min 3.化学应SiO2＋6HF(H2＋SiF6＋2H2O 4.B.O.E. recipe：NH4F（40﹪）：HF（49﹪）＝6：1 5.HF etching rate：300 A/sec at 25℃（very fast） 第二章 微影技术 ? 术挡蚀挡层mask），以选择进蚀photoresist）性质变显develop）时则图蚀挡为positive photoresist）。反之，若感光后变称为负negative photoresist）。如下图 ? 图负显蚀图转结图 ? 键结断显时则蚀护负则链显时则则 正光阻具有较resolution）及较显对contrast）因而可得到较细线宽line width）而为业乐对湿为45~ 50﹪之环获adhesion），否则剥负会娇虽湿较环为学学术单 由于所用紫外光之波长够G-line之波长为436nm时绕边缘图变图线宽义SEM量得的宽学显镜观surface profiler所测宽 ?