《AlN_蓝宝石模板上生长的GaN研究》.pdfVIP

59 11 20 10 11 第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol . 59 ，No . 11 ，November ，20 10 1000 -3290 / 20 10 / 59 (11)/ 802 1-05 ACTA PHYSICA SINICA 20 10 Chin . Phys. Soc . * AlN / 蓝宝石模板上生长的GaN 研究  汪 莱 王 磊 任 凡 赵 维 王嘉星 胡健楠 张 辰 郝智彪 罗 毅 ( ， ， ( )， 100084 ) 清华大学电子工程系 集成光电子学国家重点实验室 清华信息科学与技术国家实验室 筹 北京 (20 10 1 4 ;20 10 3 16 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 研究了在分子束外延制备的 AlN / 蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN 的材料 . X (XRD)、 (TEM) AlN GaN 性质 采用 射线衍射 透射电镜 和原子力显微镜研究了 模板的晶体质量和表面相貌对 的 . ， AlN ， AlN ((102 ) XRD 900— 影响 结果表明 当 的表面粗糙度较小时 尽管 模板的位错密度较高 面 ω 扫描半高全宽 1500 arcsec)， GaN “ ” GaN ((002 ) 但生长得到的 依然具有和在蓝宝石衬底上采用 二步法 生长的 可比拟的晶体质量 XRD 200—300 arcsec ，(102 ) 400—500 arcsec) (0. 1—0. 2 nm ). TEM 面 ω 扫描半高全宽 面 和表面粗糙度 照片表明 GaN AlN AlN GaN GaN . 中位错密度降低的原因是 中的一部分位错在 和 的界面处被终止而未能延伸至 中 这可能 Ga ， . AlN ，Ga MOVPE 是因为 原子尺寸较大 具有修复晶格缺陷的作用 而当 的表面粗糙度较大时 原子在 生长过程 ， GaN . ， GaN 105 — 106 ·cm ， 中的迁移受到影响 得到的 晶体质量非常差 此外 采用范德堡法测量的 电阻率为 Ω 比蓝 GaN 6 ， AlN GaN . 宝石衬底上生长的