TiSiC陶瓷研究进展.ppt

Ti3SiC2陶瓷研究进展 1.基本情况 国内外对陶瓷—金属复合材料的研究虽然十分活跃，但普通陶瓷(如TiC、TiB2等)引入金属中，往往由于两者结构、物理性能及化学键特性相差较大，很难形成理想的相界面，而且容易造成脆性。 到目前为止，对陶瓷—金属复合材料的研究还未取得突破性的进展，离广泛应用尚有距离。 Ti3SiC2陶瓷，Ti—Si—C二元系中化学计量化合物，它既具有陶瓷的高熔点、高化学稳定性、高耐磨性等．又具有金属的导电性、导热性、高韧性、高温塑性及很好的可加工性，它是一种具有金属性的“软”陶瓷。另外还具有自润滑性．有着广阔的应用前景 新型层状碳化物和氮化物陶瓷(Ti3SiC2、Ti 2AlC、Ti 2AlN等)是结构陶瓷研究发展的主要方向。 Ti3SiC2材料是其中研究最多的一种，Ti3SiC2属于六方晶，由平面Si层被Ti C八面体连接起来构成层状结构，其晶体结构见图l。 Ti3SiC 2象金属一样是优良的热电导体、易加工、相对较“软”、对热震不敏感等；象陶瓷一样具有良好的抗氧化性，最重要的是在高温仍保持高强度。 图1晶体结构 Ti3SiC2陶瓷性能特点 它的易加工性和自润滑性类似于BN或石墨。这种集可加工性、高温强度和塑性，以及对热震不敏感各种性能于一体的材料是不多见的。其优良的性能吸引了人们的极大关注和浓厚的研究兴趣。Ti3SiC2将作为高温结构材料、自润滑材料以及电极材料等方面得到应用和有着广阔的开发应用前景。 2. Ti3SiC2陶瓷的合成制备技术 2．1化学气相沉积法(CVD)  早期合成 Ti3SiC2的方法基本上均为CVD法。 用Si、石墨和气态TiH2为原料在2000℃进行化学反应，首先合成了Ti3SiC2。此后，采用气态的Ti、Si、C氯化物在H2中用CVD法合成出单晶或多晶的Ti3SiC2 。这类方法只能在实验室极少量地制备出Ti3SiC2的薄膜，难以进一步开发利用 2.2 SHS法 SHS法即自蔓延高温合成法，早期亦称固态燃烧合成法。1989年Pampuch以固态的Ti、Si、C粉末在Ar气中，于1050℃~1200℃燃烧合成出Ti3SiC2的块状材料。 经球磨制粉末、混合、干燥、冷压成形，然后置于石英反应管内加热，点火几秒钟后温度趋于定值。试验结果表明，成分中的Ti：Si：C的摩尔比、点火温度对Ti3SiC2的合成反应能否进行以及进行程度有决定性影响， 1989年至今，采用固体粉料以SHS法较大规模地制备合成Ti3SiC2块状材料的工作做了不少，由于这种方法的合成温度难以控制，反应的程度难以控制，所合成的块状体材料的主晶相为Ti3SiC2同时也有少量的TiC、或SiC、或Ti-Si-C系中其他一些亚化学计量化合物存在，材料的相对密度不超过95%，属于“软”陶瓷，可进行切削加工 。 2.3 固液反应法 中科院沈阳金属研究所采用固液反应法制备了Ti3SiC2粉 将物质按比例的放在聚丙烯广口瓶中，混合16小时，再将其故人SiC管炉中，在Ar气氛下，升温速度10℃／min，合成温度1200—1300℃，反应时间2小时，得到的产物经过一些处理后，得到Ti3SiC2粉。 制备成本较高，工艺复杂。 2.4 场活化、辅助加压燃烧合成 这种方法是合成和致密化两步同时进行的。交替连通脉冲电源和高的直流电源。使之产生交变电磁场，从而使反应物活化，再辅助加压，在1525℃下保温2小时得到的产品相当纯．密度接近理论密度，产品中TiC含量不大于2％mo1。 2.5 热压(HP)和热等静压(HIP)法  其特点在于利用原料中相对较软的塑性相作为过渡相．在压力下使参与反应的各相紧密接触、有利于高温下的化学反应过程充分进行，从而降低材料合成的反应温度并易于获得反应完全的产物。这种方法可以制备一些难于合成的陶瓷或陶瓷复合材料。 1996年，美国以M.Barsoum为首的研究小组合成Ti3SiC2块体材料。他们以Ti、C、SiC粉混合、冷压成形后，在1600、40MPa下热压4小时，获得了相对密度大于99％的Ti3SiC2块体材料(密度为4．58／cm3)．其中未反应的SiC以及SiCx小于vol2％，与用CVD法合成的纯Ti3SiC2相当。 不仅可切削性佳，而且导电、耐高温氧化、耐热震等性能也比以往用SHS法获得的材料要好。因此可以认为，Barsoum等在Ti3SiC2块体材料合成技术上取得的进展是