《《第三章薄膜制备技术》》.pdf

第三章 薄膜制备技术 薄膜制备工艺包括：薄膜制备方法的选 择，基体材料的选择及表面处理，薄膜 制备条件的选择和薄膜结构、性能与工 艺参数的关系等。 薄膜制备技术概述 薄膜的制备方法以气相沉积法为主，包括物理气相沉积 （Physical Vapor Deposition，简称PVD）和化学气相沉积 （Chemical Vapor Deposition，简称CVD）。物理气相沉积中发 生物理过程，化学气相沉积中包含了化学反应过程。 目前常用的物理气相沉积法有溅射、分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, MBE）、脉冲激光沉积（pulsed laser deposition,PLD）。 常用的和新发展起来的化学气相沉积方法包括金属有机化学气 相沉积（metal organic CVD,MOCVD）、微波电子回旋共振化学 气相沉积（microwave electron circle resonance,MW-ECR- CVD）、直流电弧等离子体喷射（DC arc plasma jet）CVD和触 媒化学气相沉积（ Catalytic CVD,Cat-CVD）技术。 非气相沉积方法主要有溶胶-凝胶法（Sol-Gel）、电沉积等。