磁控溅射法制备纳米晶碳化钨的电催化性能.pdf

磁控溅射法制备纳米晶碳化钨及其电催化性能的研究 摘 要 本文全面综述了国内外在碳化钨催化材料制备、性能及应用方面的研究进展， 通过磁控溅射物理气相沉积技术在金属镍基体上制备碳化钨纳米晶薄膜。 采用SEM、XRD表征手段，对碳化钨纳米晶薄膜的表面型貌、物相结构、化 学组成等进行了研究，通过循环伏安、准稳态极化、恒电位阶跃法、电化学方法 研究了碳化钨纳米晶薄膜电催化活性。 制备得到的薄膜具有纳米晶结构，由粒径为20-35rllTl的晶粒构成，晶粒分 布均匀，晶相结构为非化学计量比的碳化钨(wcl．x)。金属镍基体表面上沉积碳化 钨薄膜经历了形核、成膜和生长三个过程，并研究了溅射参数对沉积碳化钨表面 形貌、物相结构和化学组成的影响。 采用电化学方法研究硝基甲烷在纳米晶碳化钨薄膜电极上的电化学还原性能 和反应机理。实验结果表明，碳化钨薄膜电极对硝基甲烷电化学还原反应具有较 好的催化性能，当电极电位为．0．89 V(vs．SCE)时，硝基甲烷还原为甲基羟胺的电 流达14．9 mA／cm2，其反应表观活化能为12．3kJ／mol。硝基甲烷在碳化钨薄膜电 极上经过一步不可逆的电化学反