功率肖特基二极管及关键技术的研究.pdfVIP

功率肖特基二极管及其关键技术研宄 摘 要 目前能源供不应求，“开源”和“节流”是两条最根本的解决途径。利用功率半导体器 件提高系统的效率，降低能耗，属于“节流”的范畴，而发展电力电子的首要意义在于节 约电能。功率肖特基二极管是最基本的半导体器件之一，其导通压降、反向耐压以及结 电容等是几项主要的性能指标。为了获取高压、低损耗功率肖特基二极管，将从两个方 向研究功率肖特基二极管(SD)：一是沿用成熟的硅基器件工艺，通过新理论、新结构来 改善高压功率肖特基二极管中的导通损耗与开关功率间的矛盾关系；二是采用宽禁带半 导体材料如碳化硅研制的功率肖特基二极管。 本文在充分了解功率肖特基二极管系统需求和发展现状以及半导体材料特性，深入 研究了肖特基势垒二极管(SBD)和结势垒控制肖特基二极管(JBs)的工作原理、模拟特 JBS。 SBD和4H—SiC 性，目的在于设计得到高性能、低功耗、低成本、高可靠性的Si 本文