《Stm32之寄存器列表》.xls

Sheet3 Sheet2 Sheet1 学习STM32，官方提供一个库，但如果刚入手的话，肯定连功能都不太清楚，所以用不太习惯 觉得还是操作寄存器来的直接，所以就整理了STM32的大部分寄存器共大家参考。版权归ST公司 基本上都是103的，其中107的RCC，USB，和以太网等一些不太重要的没有，但大部分都有。 我只是把数据手册中的寄存器整理了一下方便大家看。如果有什么不对的，请通知我，也好修改 PWR电源相关寄存器 PWR_CR（电源控制寄存器） 保留 DBP PLS[2:0] PVDE CSBF CWUF PDDS LPDS 8位：DBP取消后备区域写保护。复位值为0。定义：0为禁止写入，1为允许写入。注：如果rtc时钟是HSE/128，必须保持为1 7-5位：PVD电源电压检测器的电压阀值。定义：000（2.2v），001（2.3v），010（2.4v），011（2.5v），100（2.6v），101（2.7v），110（2.8v），111（2.9v） 4位：PVDE电源电压检测器（PVD）使能。定义：0（禁止PVD），1（开启PVD） 3位：CSBF清除待机位（始终输出为0）定义：0（无功效），1（清除SBF待机位（写） 2位：CWUF清除唤醒位（始终输出为0）定义：0（无功效），1（2个系统时钟周期后清除WUF唤醒位（写） 1位：PDDS掉电深睡眠（与LPDS位协同操作）定义：0（当CPU进入深睡眠时进入停机模式，调压器状态由LPDS位控制），1（CPU进入深睡眠时进入待机模式） 0位：LPDS深睡眠下的低功耗（PDDS=0时，与PDDS位协同操作）定义：0（在待机模式下电压调压器开启），1（在待机模式下电压调压器处于低功耗模式） PWR_CSR（电源控制/状态寄存器） EWUP PVDO SBF WUF 8位：EWUP使能WKUP引脚。定义：0（WKUP为通用IO），1（用于待机唤醒模式，WKUP引脚被强置为输入下拉的配置（WKUP引脚上的上升沿将系统从待机模式唤醒） 注：复位时清除这一位 2位：PVDO-PVD输出（当PVD被PVDE位使能后该位才有效）定义：0（VDD/VDDA高于PLS[2-0]选定的PVD阀值），1（VDD/VDDA低于PLS[2-0]选定的PVD阀值） 注：在待机模式下PVD被停止，因此，待机模式后或复位后，直到设置PVDE位之前，该位为0 1位：SBF待机标志位（该位由硬件设置，并只能由POR/PDR（上电/掉电复位）或设置电源控制寄存器（PWR_CR）的CSBUF位清除）定义：0（不在待机）1（已待机） 0位：WUF唤醒标志（该位由硬件设置，并只能由POR/PDR（上电/掉电复位）或设置电源控制寄存器（PWR_CR）的CWUF位清除） 定义：0（没有唤醒事件），1（在WKUP引脚上发生唤醒事件或出现RTC脑中事件） 注：当WKUP引脚已经是高电平时，在（通过设置EWUP位）使能WKUP引脚时，会检测到一个额外事件 BKP——DRx（x=1...10）（备份数据寄存器） 15-0位：备份数据由用户来写数据。注：BKP——DRx寄存器不会被系统复位，电源复位，待机唤醒所复位 它可以由备份域复位来复位或（如果入侵检测引脚TAMPER功能被开启时）由浸入引脚事件复位 BKP_RTCCR（RTC时钟校准寄存器） ASOS ASOE CCO CAL[6:0] 9位：ASOS闹钟或秒输出（当设置ASOE位，ASOS位可用于选择在TAMPER引脚上输出的是RTC秒脉冲还是闹钟脉冲信号）定义：0（输出RTC闹钟脉冲），1（输出秒脉冲）注：后备区复位清除 8位：ASOE允许输出闹钟或秒脉冲（根据ASOS位的置位，该位允许RTC闹钟或秒脉冲输出到TAMPER引脚。脉冲宽度为1个RTC时钟周期。置位时不能开启TAMPER功能） 7位：CCO校准时钟输出。定义：0（无影响），1（此位置1可在侵入检引脚输出经64分频后的RTC时钟。当CCO位置1时，必须关闭侵入检测）注：vdd断电，该位清除 6-0位：CAL校准值。表示在每2的20次方个时钟脉冲内将有多少个脉冲被跳过。这可用来对RTC进行校准，以1000000/（2的20次方比例减慢时钟）可用被减慢0-121ppm BKP_CR(备份控制寄存器) TPAL TPE 1位：TPAL侵入检测TAMPER引脚有效电平。定义：0（检测TAMPER脚高电平清除备份数据）1（检测TAMPER脚低电平清除备份数据） 2位：TPE启动入侵检测TAMPER引脚。定义：0（TAMPER脚为普通IO），1（开启检测） 注：TPAL、TPE同时置为可用，但同时清零则会出问题。所以推荐在TPE为0时才改变TPAL位状态。 BKP_