BBSRAM和F-RAM选用比较.docVIP

F-RAM与BBSRAM功能和系统设计之比较 作者：半导体事业部 2010-11-23 已查看 151 次 关键字： F-RAM? BBSRAM存储引言　　高性能和环保是当前技术创新的两大要求。二者共同推动半导体元器件的发展，同时也为全球众多企业和消费者所耳熟能详。　　若系统设计需要采用半导体存储器技术，工程师有(但不限于)以下选择：电池备份静态随机存储器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;铁电随机存取存储器(F-RAM);以及其它nVRAM技术。在从工厂自动化和电信到计量和医疗技术的每一种应用中，要确定最适合的存储器选择，是一项重要的设计考虑事项。 图1? BBSRAMN电路示意图 ?　　本文将阐释F-RAM 和 BBSRAM存储器之间的功能差异和设计差异。本文还会特别强调F-RAM如何能够为设计人员提供具备成本优势和更简化的系统及维护的前瞻性的环保选择方案。　　在许多数据记录应用中，BBSRAM存储器都扮演了重负荷芯片的角色。BBSRAM易于使用，耐久性高，写入速度快，但它的最大缺点是需要电池。而电池既给环境造成有害影响，也给设计和系统带来障碍。而F-RAM是一种成熟的半导体技术，具有写入速度极快、耐久性高和功耗超低等特性。F-RAM固有非易失性的特点，性能堪比SRAM，却又无需