射频微机械开关和放大器关键技术的研究.pdf

中文摘要 摘 要 射频微机械(Radio micro．electronicmechanical Frequency System。简称RF MEMS)开关比起目前通讯系统所用的PIN开关，具有隔离度高、插入损耗小、 线性度高等特有优点，是将来通讯系统的关键基础元器件之～，它的研制开发和 放大处理电路单片集成，对于进一步降低通讯系统体积、提高可靠性和稳定性， 推动我国通讯系统小型化的发展具有非常重要的意义。 本论文针对RFMEMS开关和与放大器单片集成化的关键技术开展了如下工 作： l、利用力学原理对单臂结构的多晶硅RFMEMS开关、金属膜桥式RFMEMS CPW开关的力学特性进行模拟与分析，推导并计算了开关的阈值电压。分析了绝 MEMS 缘层的表面粗糙度对金属膜桥式射频RF CPW开关的关态电容的影响，要 求粗糙度应控制在50—100埃范围内，这样既能保证关态电容的变化不会太大，同 时又能改迸抗粘效应的影响： 2、针对射频放大器中放大倍数与频率带宽成反比的问题，进行了射频放大电 路结构的优化设计技术研究，设计出一种新颖的放大电路结构，从模拟结果表明， 该电路放大倍数可达到27倍，频率带宽达到1GHz，基本满足了射频放大器的需 要； 3、研究了二氧化硅、聚酰亚胺牺牲层刻蚀技术和应力释放技术，获得了优化 MEMS MEMS开关和金属膜RFCPW开关实验样 工艺条件，研制出了多晶硅RF 品； 4、针对RFMEMS开关需要采用高阻的绝缘衬底，而Ic放大器电路需要低阻 衬底的问题，创新性地采用深槽刻蚀、多晶硅回填、减薄、抛光等方法在硅片衬 MEMS开关与Ic放大电 底上形成绝缘多晶硅衬底和低阻的硅衬底区，实现了RF MEMS 路的衬底材料兼容；结合金属膜RF CPW开关和平面Ic的多晶硅发射极工 MEMS 艺，进行了RF CPW开关与放大器电路单片集成化的工艺实验研究。 MEMS MEMS开关，RFCPW开关，牺牲层，悬臂梁，平面 关键词：MEMS，RF 螺旋电感 英文摘要 ABSTRCT with switchusedincommunication Comparedp-■n system，RF MEMS(Radio micro·electronmechanical haslow frequency insertion system)switch loss，hi西 and isolation willbethe devicesinfuture linearity,andkey communication system．Its andmonolithic RF withfront—end will development integr