rebat;,2gt;cult;,3gt;olt;,7-δgt;高温超导薄膜的制备与表征.pdfVIP

ReBa2Cu307-6高温超导薄膜的制各与表征 摘要 中文摘要 高质量的高Tc超导薄膜在微电子学及器件方面有着广阔应用前景，它的制备研 薄膜的临界电流密度要比非完全c轴取向的薄膜高比几个数量级，但是，许多研究者 表明：随着薄膜厚度的增加，YBCO薄膜会偏离c轴生长，达到一定厚度(～200nm) 以后，将逐渐变为沿a轴生长。因此，本工作的主要目的是采用不同的烧结靶材利用 优生长。 本论文中我们采用固相烧结工艺来制备两种不同的陶瓷靶材，一种是已经烧结成 Y123超导相的传统靶材，另一块是按照相同的化学计量配比在较低的温度下制备的 未成相的靶材。利用脉冲激光沉积技术在MgO衬底上生长YBCO薄膜，并对它们的 微观结构和超导性能进行比较和研究。我们发现利用两种不同的靶材沉积薄膜厚度在 成相的靶材具有一定的优势，薄膜c轴生长趋势明显，能够明显抑制a轴晶粒的形成。 甚至当薄膜厚度达到1200hm以后，仍然保持着良好的c轴方向生长。可见，使用这 种靶材能够有效地改进薄膜的生长情况，可能与激光烧蚀靶材产生的羽辉在基片上迁 移重组有很大的影响。 衬底沉积温度，沉积气氛来寻找最优的外延生长条件，同时研究了后退火处理对薄膜 的影响。结果表明：在80012衬底温度下实现了SBCO薄膜的外延生长，并将之作为 一层较薄的过渡层来引导YBCO薄膜的生长；退火温度对于薄膜取向有较大的影响， 较高的退火温度有利于薄膜的c轴取向生长。 关键词：YBCO超导薄膜；SBCO超导薄膜；脉冲激光沉积(PLD)；外延生长；后 退火处理 作 者：黄洁 指导教师：苏晓东 ReBa2Cu3074i高温超导薄膜的制各与表征 英文摘要 Abstract HTSthinfilmwith a forits in highquality high￡iskeystep application Fabricating micro-electronicsdevices．Theorientationof cantransit growth YBa2Cu307．s(YBCO)film fromCtOa-axisafterthefilmreachesacritical toaninverse thickness，Ladingdependency of is thecriticalcurrent their density(Jc)on to howtoavoida-axis inthickfilms． necessaryinvestigate growth to on Inthis a methodcontrolthesizeof work,We adoptedsimply particulateslanding thesubstrate the usedforthe oftheYBCOfilm by target．Thetarget deposition changing wass