srtio基阻变存储器的制备和性能研究.pdf

II qlllqlI 11111511111Illllllllllllllll I 16203 Y21 摘要 阻变存储(RRAM)以其在存储密度和存储速度上的独特优势，被认为是颇具潜力的 下一代非易失性存储技术。然而阻变的微观机制一直不明晰，这成为RRAM存储应用 料，通过改变金属电极和引入介质层的方法，系统研究了阻变器件的电阻开关特性，及 其在新原理器件中的应用。本论文主要内容包括以下几个方面： 1．Au／STO／Ti存储器件的制备和电阻开关性能研究 以STO薄膜为阻变材料，选取具有不同功函的金属Au(5．1eV)和Ti(4．3eV)作为上 触，而Au／STO之间为肖特基接触。在±2．5V的偏压范围内，存储器件表现出逆时针 双极电阻开关行为，对厶y和C-V曲线的分析表明阻变源于Au／STO界面肖特基势垒宽 度或高度的改变，该界面势垒的改变是由缺陷能级的电荷俘获／释放诱导的；在经历了负 极性的电形成电压操作后，器件在同样的±2．5V偏压范围内呈现出顺时针双极电阻开 关行为，电学特性分析表明该阻变源于氧空位迁移诱导的氧化还原反应。薄膜内缺陷分 布的不同导致了这两种不同特征的双极电阻开关行为。 (1)由于金属／氧化物界面对存储器件的开关特性有重要影响，选择高功函Pt(5．6 eV) 8 负极性的电形成偏压(约…6 V)之后，器件表现出单极或双极性电阻丌关行为，其 开关极性依赖于电形成过程中所设限制电流的大小。当限制电流为1mA，器件表现出 0 双极电阻开关行为；当限制电流为1 mA，表现出单极开关行为，并且两种极性之间可 以相互转换。该现象表明不同的限制电流，器件内部形成的缺陷不同。对厶y特性的分 析表明双极电阻开关是由于Au／STO界面处肖特基势垒的变化引起的；而单极电阻开关 是由于缺陷构成的导电丝的形成与破裂致使的。对器件的非易失性研究表明，单极开关 的高、低阻态均具有很好的保持能力，两周时间之后电阻值仍无较大的改变，但双极开 关的电阻态仅能保持几个小时。 (2)IMP逻辑的研究还处于初始阶段，目前还未见单极忆阻器实现IMP“状态”逻辑 的报道。本文选择具有单极开关特性的Au／STO／Pt器件为忆阻器构成了IMP逻辑电路， 并通过理论模拟计算，探索IMP逻辑运算中电压、电流等参数设置的特点，以及逻辑运 算的稳定性。该单极忆阻器具有较大的开关比值(大于1000)，且在低阻态呈现线性I-V 关系，较小的调制因子(1．2)表明由于串联电EFt(Ro)的引入导致的开关比值的退偏非常弱， 这证明IMP的可靠性被有效增强了。但单极开关阈值电压的离散性会影响IMP运算的 重复性，计算表明通过选择合适的串联电阻(Ro，500Q)能减小阈值电压不稳定对IMP运 算的影响；但彻底解决该问题，应优化忆阻器结构以使开关电压稳定在较小的范围内。 3．Au／NiO／STO／Pt存储单元的电学性能研究 界面势垒在电阻开关中起着重要作用，在金属／氧化物间插入非常薄的介质层将改变 界面性质，进而影响存储器的电阻开关性质，所以本文采用PLD技术沉积了 试结果如下： (1)在电形成过程中设置较小的限制电流，由于界面势垒的存在，器件表现出双极 电阻开关行为，并且他们的回线方向可以在J顿时针和逆时针间可逆转换；通过对1-V曲 线的拟合发现，高阻态和低阻态分别对应肖特基整流和隧穿机制，进一步分析表明，逆 的改变引起的，该界面势磊的改变由电荷诱捕效应导致。 (2)在电形成过程中若设置较大的限制电流(10mA)，界面势垒消失，器件表现单极 电阻开关行为；负偏压下，单极开关能反复切换，但正偏压下，开关仅重复约4—7个 周期便消失。其原因是不同极性的偏压驱使氧空