tio2基磁半导体缺陷的正电子湮没谱学研究.pdfVIP

摘要 摘要 室温稀磁半导体是自旋电子器件研究的关键途径，但是其室温铁磁性的内 禀属性及其起源的研究有争议，尤其对于缺陷的探测技术有限，因而相关研究 多集中在理论分析层而，难以进行深入的实验验证。 本论文以金红石Ti02稀磁半导体为研究对象，基于慢正电子束流装置以正 电子湮没谱学为主要表征方法，通过电子辐照和Co离子注入作为引入缺陷和 掺杂离子的主要手段， 建立正电子湮没参数与不同类型缺陷的判断依据，得到 缺陷类型和缺陷浓度的深度分布以及缺陷周闱电子动量分布的信息，建立上述 缺陷结构与材料铁磁性之问的相互关系。 测试结果显示，电子辐照能够使Ti02晶体中产生新的缺陷，主要的缺陷类 晶体出现新缺陷，新缺陷为Ti-Co．Vo或Ti-vo的复合体；结合振动样品磁强计 的复合体的浓度有很大关系。 本研究将为室温稀磁半导体材料的铁磁性的作用机制研究提供实验依据， 为白旋电子器件的发展提供新的表征方法和思路。 关键词：稀磁半导体 正电子湮没 缺陷表征Ti勘-vo或Ti-Vo复合型缺 陷 abstract Abstract Dilute Sem acriticalinthe Room path temperatureMagneticiconductor(OMS)is the of thereare in intrinsic devices，but manydisputes studyspin—electronic room ofthe and ofthe ferromagnetism．Because propertiesorigin temperature limitedofdefectdetection correlativeresearchisfocusedonthe technology，∞the it’Sdifficultto theoreticaiand verifybyexperiments． analysis Inthis diluted semiconductorwaschoosedasthe thesis，rutileTi02 magnetic researchanditwas characterizedannihilation object mainly bypositron spectroscopy beam defectsand wereinduced basedontheslow by positronequipment．Thedoping electronirradiationandCoion wanttoestablishthe implantation．We relationship structureand ofthematerials the betweenthedefect ferromagneti