pb(zrlt;,0.96gt;tilt;,0.03gt;)nblt;,0.01gt;olt;,3gt;lalt;,0.5gt;srlt;,0.5gt;coolt;,3gt;异质结的制备与性能研究.pdfVIP

论文题目：Pb(Zro．订in呻)Nbo．0103／Lao．5Sro．脚s异质结构的制备与性能研究 学科专业：理论物理 学位申请人：潘刚 导 师：刘世建副教授，王根水研究员 摘 要 钙钛矿结构铁电薄膜材料PbZr,Ti。，03(PZT)的底电极，因为它们具有相近的晶体 结构和晶格常数，匹配良好。Lsco具有良好热稳定性，使得PZT／LSCO的界面清 晰，性能可靠。采用脉冲激光溅射法可以在Si基片和氧化物基片上实现LSCO的 取向性生长，并具有良好的表面平整度。在该底电极上制备的PZT薄膜，显示 具有较低漏电流和抗疲劳特性。据文献报道，富zr钙钛矿反铁电体PZT具有储 能特性，对其进行掺杂改性可望使其得到优化，La掺杂的PbZrO，具有高达 回线显示出比La掺杂的PZST具有更好的矩形特征。Nb掺杂的富锆PZT陶瓷薄 膜Pb(Zr。．∞Ti蛐)Nb㈣03[PzNT]的反铁电性能具有重要意义。 储能特性以及介电性能，以探求反铁电薄膜PzNT／LSCO异质结构的储能特性的优 化。 结果表明，溶胶法制各LSCO薄膜取向特性不受退火工艺中升温速度的影响。 较难形成高平整度的薄膜，不同的预晶化温度和升温速度对LSCO的取向特性没 有明显的影响。采用LNO作为缓冲层可以实现LSCO的高度100择优取向的生长。 原子力显微图片显示，LSCO具有表面织纹结构，该织纹结构带来的应力不均匀 造成LSCO的随机取向特性，以及较高的表面粗糙度。通过比较Pt／PZNT／Pt， Pt／PZNT／Pt更好的矩形回线特征。三种结构的储能密度分别为6．55 J／cm2(LNO 底电极)，5．54J／cm2(LSCO底电极)和7．05 J／cm2(Pt底电极)。PZNT的储能密 度强烈依赖于反铁电电滞回线的特征，矩形特征好、剩余极化低和饱和极化大 的反铁电材料具有较大的储能密度。 论文类型：应用基础 of and of o．∞)‰0103 Thesistopic：StudypreparationpropertiesPb(Zr也蜘Ti herostucture ／Lan5sr0．5C003 TheoreticalPhysics Subject： icant：Pan DegreeAppl Gang k Gen—shui Tutor：AssociateProfessorLiu Wang Shi—jian。Researcher Abstract oxide． isakindof metal LSCO(L瓠5Sr0．5CoODimportantperovskitetype asthebottomelectrodeofferroelectric Itisa candidate perfect fi havesimilarlatticestructureand PbZrITil，03(PZT)thinlm，forthey lattice eachother well．Betterthermal constant，matchingvery stabili ofLSCOmadetheinterfacebetweenthem