ito、ao靶材用纳米粉体的制备与ⅲ-ⅴ族半导体合金薄膜的生长研究.pdf

摘要 摘要 本论文“ITO、AZO靶材用纳米粉体的制备与III．V族半导体合金薄膜的生 长研究”，在所进行的课题研究上分为两个主要方向：批量分别制备ITO靶材与 三元半导体合金薄膜的热力学研究。论文的主要内容分为透明导电氧化物薄膜 及其陶瓷靶材、1TO靶材用纳米粉体的制备及工艺优化、AZO靶材用ZnO纳米 粉体的制备及工艺优化、SSMBE生长ⅡI．V族半导体合金薄膜的研究四个部分。 取得的主要成果和结论如下： l、利用高压反应釜水热法制备出ITO靶材用Sn02纳米粉体。系统研究了 在批量(0．5kg／批)制备粉体的条件下，各项工艺参数：反应溶液浓度、前驱体 溶液的pH值、水热反应温度、釜内反应最高压力以及水热反应时间等对于sn02 纳米粉体粒径、形貌以及晶型的影响，从而得到优化的制备工艺参数。发现了 与文献报道中不同的现象：在保持反应最高压力恒定的情况下，水热反应温度 对粒径的影响存在一个转变点(220℃)，当反应温度低于220℃时，晶粒度会随 着温度升高变大：当反应温度高于220℃时，随着温度升高其晶粒度反而呈现下 降的趋势。水热反应时间也存在一个敏感点(12h)，当反应时间低于12h时， 随着反应时间的增加，SnCh开始成核并逐渐长大，晶粒度随着时间的增加而增 大；当反应时间进一步增加到12h后，晶粒度随着时间的延长而变小。 2、利用高压反应釜采用水热法对h1203纳米粉体进行了批量制备工艺的研 粉体的基本工艺。通过调整烧结温度，得到适宜的并能与Sn02粉体相匹配的- In203纳米粉体，为粉体的进一步烧结以及制备ITO靶材奠定基础。 等粉体表征手段，对采用不同锌盐原料、反应溶液浓度、溶剂中乙醇的含量、 煅烧温度等工艺条件对ZnO的粒径、形貌和晶型的影响进行了综合比较研究， 并得到优化的制备工艺参数。 4、采用固态源分子束外延技术生长III．V族半导体合金薄膜材料，建立了 三元化合物的热力学理论模型，将晶格应变能和温度对吸附和脱附的影响这两 个参数因子引入模型中，推导出束流、生长温度和组分在MBE生长过程中的相 摘要 互关系，并根据实验生长数据模拟出所建模型的具体参数值。通过计算拟合得 到的理论曲线与实验数据得到较好的吻合。该热力学模型对后续的IⅡ．V族半导 体薄膜材料的生长具有一定的指导意义。 关键词：ITO靶材AZO靶材纳米粉体固态源分子束外延热力学 Ⅱ Abstract Abstract isfocusedonthe ofITOandAZO TlliSdissertation preparations taget III-Vsemiconductor isdivided andthe of alloyfilms，which nanopowdersgrowth and intotwomaindirections．Oneisthe of Sn02 large·scale In203 preparations and forAZO．Theotheris forFrO materialsZnO target nanopowders nanopowders the of semiconductor SSMBE．There