co掺杂(a,sr)tio3稀磁半导体的制备、结构与性能研究.pdfVIP

Co掺杂(La,Sr)TiO，稀磁半导体的制各、结构与性能研究 中文摘要 中文摘要 稀磁半导体是新一代自旋电子器件的重要支撑材料之一。制备具有室温铁磁性的 稀磁半导体，并探索其磁性来源，从而将其应用于自旋电子器件是自旋电子学领域的 研究热点之一。本论文采用溶剂热法结合后退火处理工艺分别制备T(La，Sr)Ti03．占 研究了掺杂浓度和退火气氛、温度与时间等工艺参数对Co掺杂LSTO局域结构和磁 学性能的影响，重点探讨了磁性与掺杂剂Co和缺陷碳的局域结构之间的关系，从而 获得对Co掺杂LSTO的磁性起源问题的更深理解。 研究结果表明，采用溶剂热法结合后退火工艺成功获得了结晶良好的Co掺杂 LSTO稀磁半导体材料，其磁性与掺杂浓度和退火气氛、温度及时间等参数密切相关。 at．％)，其室温铁磁性是内秉的。且发现 我们发现在低掺的情况下(掺杂浓度小于5 磁性与Co掺杂浓度及退火后有机物沉积残留下来的无定型碳含量密切相关。我们通 有的室温铁磁性，我们分析了其结构缺陷与碳含量对其磁性的影响，揭示了在高纯 心气氛退火过程中所诱导的结构缺陷很可能是LSTO基稀磁半导体室温铁磁性的起 源，而碳与Co的耦合调节机制可能只是结构缺陷的副产物。我们利用束缚磁性极子 模型对磁性机制进行了较完整的解释。 at．％时，会有 实验结果还发现，随着Co掺杂浓度的提高，即掺杂浓度不小于5 第二相CoO出现。根据观测到的交换偏置现象，我们推测所观测到的室温铁磁很有 可能来自于尺寸较小的CoO相或是在舡气氛下被还原出的少量的无定型的Co金属 杂质。 关键词：稀磁半导体，(La，Sr)Ti03，结构，磁性起源 作 者： 刘鹏 指导教师： 王学锋 Abstract Co掺杂(La,Sr)TiO，稀磁半导体的制备、结构与性能研究 and of Preparation，StructuresPropertiesCo—Doped Diluted (La，Sr)Ti03．6Magnetic Abstract Diluted oneofthe magneticsemiconductors(DMSs)areimportantsupporting materialsforthe of DMSs、析tllroom new-generationspintronics．Preparingtemperature the of DMSsto RTFM，and ferromagnetism(RTFM)，exploringorigin applying spintronics are the inthefieldof becominghot-spottopic spintronics．We (LSTO)andLSTO solvothemalcombined、Ⅳith Co-dopednanocrystalsthrough technique concentrationofCo post-annealingprocess．Afterth